[实用新型]晶圆承载装置有效
申请号: | 201420459468.2 | 申请日: | 2014-08-14 |
公开(公告)号: | CN204130514U | 公开(公告)日: | 2015-01-28 |
发明(设计)人: | 陈登葵 | 申请(专利权)人: | 微芯科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 王玉双;常大军 |
地址: | 中国台湾新竹县竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种晶圆承载装置,设置于一晶圆蚀刻设备,该晶圆蚀刻设备包含一腔室及一位于该腔室的升降轴,该晶圆承载装置包含一绝缘盘、一金属盘及一绝缘环。该绝缘盘设置于该升降轴上;该金属盘设置于该绝缘盘上供承载一晶圆,且该金属盘具有一承载该晶圆的中央部分及一自该中央部分朝外延伸而超出该晶圆的周缘;该绝缘环设置于该金属盘上,而覆盖该周缘并具有一朝下延伸而突出该金属盘的端缘。其中,该绝缘盘至少遮蔽该中央部分的一中央底面而与该端缘之间具有一小于1公分的间距。据此,本实用新型防止该金属盘下方受到一等离子体的打击,延长其使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 承载 装置 | ||
【主权项】:
一种晶圆承载装置,设置于一晶圆蚀刻设备,该晶圆蚀刻设备包含有一腔室以及一设置于该腔室的升降轴,其特征在于,该晶圆承载装置包含有:一设置于该升降轴上的绝缘盘;一设置于该绝缘盘上以供承载一晶圆的金属盘,该金属盘具有一承载该晶圆的中央部分以及一自该中央部分朝外延伸而超出该晶圆的周缘;以及一设置于该金属盘上的绝缘环,该绝缘环覆盖该周缘并具有一朝下延伸而突出该金属盘的端缘;其中,该绝缘盘至少遮蔽该中央部分的一中央底面而与该端缘之间具有一小于1公分的间距。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造