[实用新型]双振膜共用一磁回结构的喇叭有效

专利信息
申请号: 201420387165.4 申请日: 2014-07-14
公开(公告)号: CN204119458U 公开(公告)日: 2015-01-21
发明(设计)人: 李秉彧 申请(专利权)人: 富祐鸿科技股份有限公司
主分类号: H04R1/20 分类号: H04R1/20
代理公司: 天津三元专利商标代理有限责任公司 12203 代理人: 郑永康
地址: 中国台湾桃*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种双振膜共用一磁回结构的喇叭,其是磁回结构下方相向对应于上方的第一振膜,设有一第二振膜;一第二磁铁单元,设在第一磁铁单元的外周缘;一第二音圈,其底缘连接在该第二振膜的上缘面,且位于该磁回结构中,该第二磁铁单元的外周缘所形成的磁间隙中;以及一音箱,结合在支架外周缘,并位于磁回结构下方,其内形成一预定容积的腔室,供该第二振膜完全容置于该腔室之中;借此,在相同的体积下,以内、外双振膜的方式共用一磁回结构,以形成具有高、低音的双喇叭架构,具有营造更真实音域表现的功效。
搜索关键词: 双振膜 共用 一磁回 结构 喇叭
【主权项】:
一种双振膜共用一磁回结构的喇叭,包括:一支架;一磁回结构,其包括一第一导磁轭,设在该支架上,以及至少一第一磁铁单元,设在该第一导磁轭上;一第一振膜,设在该磁回结构上方;一第一音圈,其顶缘连接在该第一振膜的底缘面,且对应设于该第一磁铁单元的外周缘;其特征在于:该磁回结构下方相向对应于该第一振膜,还设有一第二振膜,且该第二振膜大于该第一振膜;一第二磁铁单元,设在该第一磁铁单元的外周缘;一第二音圈,其底缘连接在该第二振膜的上缘面,且位于该磁回结构中,该第二磁铁单元的外周缘所形成的磁间隙中;以及一音箱,结合在该支架外周缘,并位于该磁回结构下方,其内形成一预定容积的腔室,供该第二振膜完全容置于该腔室之中;借此,使高音的该第一振膜位于该音箱外部,低音的该第二振膜位于该音箱内部,以内、外双振膜共用一磁回结构,以形成具有高、低音的双喇叭架构。
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