[实用新型]GaN基等离子激元探测器

摘要

本实用新型公开了一种GaN基等离子激元探测器，涉及半导体器件领域。自下至上包括衬底、AlN缓冲层、GaN层和AlGaN层，AlGaN层上方左侧和右侧为源端和漏端欧姆接触金属层，源端和漏端欧姆接触金属层与AlGaN和GaN层接触，且在AlGaN和GaN层上的厚度相等且大于AlGaN层厚度；中间为石墨烯层，包括第一、第二石墨烯层和石墨烯周期型栅肖特基接触层，且与AlGaN层和GaN层接触，第一与第二石墨烯层相连且呈T形，第二石墨烯层与石墨烯周期型栅肖特基接触层相连；第一石墨烯层上设有欧姆接触电极。本实用新型采用石墨烯周期型栅结构，与金属栅相比，增加了太赫兹波透过率和太赫兹波与二维电子气的耦合效率。

主权项

一种GaN基等离子激元探测器，其特征在于自下至上包括衬底（10）、AlN缓冲层（9）、GaN层（8）和AlGaN层（2），AlGaN层（2）面积小于GaN层（8）面积，在AlGaN层（2）上方左侧为源端欧姆接触金属层（1），AlGaN层（2）上方右侧为漏端欧姆接触金属层（6），所述源端欧姆接触金属层（1）和漏端欧姆接触金属层（6）均与AlGaN层（2）和GaN层（8）相接触，源端欧姆接触金属层（1）和漏端欧姆接触金属层（6）在AlGaN层（2）和GaN层（8）上的厚度相等且大于AlGaN层（2）的厚度；AlGaN层（2）上方中间为石墨烯层，所述石墨烯层包括第一石墨烯层（3）、第二石墨烯层（5）和石墨烯周期型栅肖特基接触层（7），所述第一石墨烯层（3）与第二石墨烯层（5）相连且呈T形分布，第二石墨烯层（5）与石墨烯周期型栅肖特基接触层（7）相连，所述石墨烯周期型栅肖特基接触层（7）由平行且均匀分布的10‑100个条形石墨烯构成，所述石墨烯层与AlGaN层（2）和GaN层（8）相接触；所述第一石墨烯层（3）上设有欧姆接触电极（4）。