[实用新型]一种垂直结构光分路器

摘要

本实用新型公开了一种垂直结构光分路器，该光分路器能缩短信号光的分光区长度，减小平面波导型光分路器在平面方向所占面积。包括衬底层，在衬底层的上表面制作有下包层；在下包层的上表面制作有一号矩形干涉波导，在一号矩形干涉波导的上表面制作有二号矩形干涉波导，在二号矩形干涉波导的上表面制作有三号矩形干涉波导，在三号矩形干涉波导的上表面制作有四号矩形干涉波导，在四号矩形干涉波导的上表面制作有五号矩形干涉波导，在五号矩形干涉波导的上表面制作有六号矩形干涉波导，在六号矩形干涉波导的上表面制作有七号矩形干涉波导，把一号至七号的矩形干涉波导用上包层密封包起来，并进行切割封装。

主权项

一种垂直结构光分路器，其特征在于，包括：衬底层(15)，并对衬底层的表面进行抛光处理；在衬底层的上表面，通过CVD方法沉积制作厚度为10微米的下包层(16)；在下包层的上表面，通过CVD方法沉积制作厚度为4‑5微米的一号夹包层(8)，并且一号夹包层的折射率等于下包层的折射率；对一号夹包层进行光刻和刻蚀得到一号矩形凹槽，并且一号矩形凹槽的槽底落在下包层的上表面上，一号矩形凹槽的宽度等于输入波导的宽度，一号矩形凹槽的长度为600‑800毫米；在一号矩形凹槽内通过CVD方法和\或刻蚀技术填满沉积制作出一号矩形干涉波导(1)，并且一号矩形干涉波导的上表面与一号夹包层的上表面在同一个水平面上，一号矩形干涉波导的折射率大于下包层的折射率；在一号矩形干涉波导的上表面以及一号夹包层的上表面，通过CVD方法沉积制作厚度为6微米的二号夹包层(9)，并且二号夹包层的折射率等于下包层的折射率；对二号夹包层进行光刻和刻蚀得到二号矩形凹槽，并且二号矩形凹槽的长度大于一号矩形凹槽的长度，二号矩形凹槽由二号矩形凹槽干涉段和二号矩形凹槽输出段组成，二号矩形凹槽干涉段的槽底落在一号矩形干涉波导的上表面上，二号矩形凹槽输出段的槽底落在一号夹包层的上表面上，二号矩形凹槽的宽度等于输入波导的宽度，二号矩形凹槽的左端端部与一号矩形凹槽的左端端部在同一个左端竖直平面内，二号矩形凹槽的中轴线与一号矩形凹槽的中轴线在同一个中轴线竖直平面内；在二号矩形凹槽内通过CVD方法和\或刻蚀技术填满沉积制作出二号矩形干涉波导(2)，并且二号矩形干涉波导的上表面与二号夹包层的上表面在同一个水平面上，二号矩形干涉波导的折射率等于一号矩形干涉波导的折射率；在二号矩形干涉波导的上表面以及二号夹包层的上表面，通过CVD方法沉积制作厚度为3‑4微米的三号夹包层(10)，并且三号夹包层的折射率等于下包层的折射率；对三号夹包层进行光刻和刻蚀得到三号矩形凹槽，并且三号矩形凹槽的长度等于一号矩形凹槽的长度，三号矩形凹槽的槽底落在二号矩形干涉波导的上表面上，三号矩形凹槽的宽度等于输入波导的宽度，三号矩形凹槽的左端端部落在所述的左端竖直平面内，三号矩形凹槽的中轴线落在所述的中轴线竖直平面内；在三号矩形凹槽内通过CVD方法和\或刻蚀技术填满沉积制作出三号矩形干涉波导(3)，并且三号矩形干涉波导的上表面与三号夹包层的上表面在同一个水平面上，三号矩形干涉波导的折射率等于一号矩形干涉波导的折射率；在三号矩形干涉波导的上表面以及三号夹包层的上表面，通过CVD方法沉积制作厚度为6微米的四号夹包层(11)，并且四号夹包层的折射率等于下包层的折射率；对四号夹包层进行光刻和刻蚀得到四号矩形凹槽，并且四号矩形凹槽的长度大于一号矩形凹槽的长度，四号矩形凹槽由四号矩形凹槽干涉段和四号矩形凹槽输入段组成，四号矩形凹槽干涉段的槽底落在三号矩形干涉波导的上表面上，四号矩形凹槽输入段的槽底落在三号夹包层的上表面上，四号矩形凹槽的宽度等于输入波导的宽度，四号矩形凹槽的右端端部与一号矩形凹槽的右端端部在同一个右端竖直平面内，四号矩形凹槽的中轴线落在所述的中轴线竖直平面内；在四号矩形凹槽内通过CVD方法和\或刻蚀技术填满沉积制作出四号矩形干涉波导(4)，并且四号矩形干涉波导的上表面与四号夹包层的上表面在同一个水平面上，四号矩形干涉波导的折射率等于一号矩形干涉波导的折射率；在四号矩形干涉波导的上表面以及四号夹包层的上表面，通过CVD方法沉积制作厚度为3‑4微米的五号夹包层(12)，并且五号夹包层的折射率等于下包层的折射率；对五号夹包层进行光刻和刻蚀得到五号矩形凹槽，并且五号矩形凹槽的长度等于一号矩形凹槽的长度，五号矩形凹槽的槽底落在四号矩形干涉波导的上表面上，五号矩形凹槽的宽度等于输入波导的宽度，五号矩形凹槽的左端端部落在所述的左端竖直平面内，五号矩形凹槽的中轴线落在所述的中轴线竖直平面内；在五号矩形凹槽内通过CVD方法和\或刻蚀技术填满沉积制作出五号矩形干涉波导(5)，并且五号矩形干涉波导的上表面与五号夹包层的上表面在同一个水平面上，五号矩形干涉波导的折射率等于一号矩形干涉波导的折射率；在五号矩形干涉波导的上表面以及五号夹包层的上表面，通过CVD方法沉积制作厚度为6微米的六号夹包层(13)，并且六号夹包层的折射率等于下包层的折射率；对六号夹包层进行光刻和刻蚀得到六号矩形凹槽，并且六号矩形凹槽的长度大于一号矩形凹槽的长度，六号矩形凹槽由六号矩形凹槽干涉段和六号矩形凹槽输出段组成，六号矩形凹槽干涉段的槽底落在五号矩形干涉波导的上表面上，六号矩形凹槽输出段的槽底落在五号夹包层的上表面上，六号矩形凹槽的宽度等于输入波导的宽度，六号矩形凹槽的左端端部落在所述的左端竖直平面内，六号矩形凹槽的中轴线落在所述的中轴线竖直平面内；在六号矩形凹槽内通过CVD方法和\或刻蚀技术填满沉积制作出六号矩形干涉波导(6)，并且六号矩形干涉波导的上表面与六号夹包层的上表面在同一个水平面上，六号矩形干涉波导的折射率等于一号矩形干涉波导的折射率；在六号矩形干涉波导的上表面以及六号夹包层的上表面，通过CVD方法沉积制作厚度为4‑5微米的七号夹包层(14)，并且七号夹包层的折射率等于下包层的折射率；对七号夹包层进行光刻和刻蚀得到七号矩形凹槽，并且七号矩形凹槽的长度等于一号矩形凹槽的长度，七号矩形凹槽的槽底落在六号矩形干涉波导的上表面上，七号矩形凹槽的宽度等于输入波导的宽度，七号矩形凹槽的左端端部落在所述的左端竖直平面内，七号矩形凹槽的中轴线落在所述的中轴线竖直平面内；在七号矩形凹槽内通过CVD方法和\或刻蚀技术填满沉积制作出七号矩形干涉波导(7)，并且七号矩形干涉波导的上表面与七号夹包层的上表面在同一个水平面上，七号矩形干涉波导的折射率等于一号矩形干涉波导的折射率；在七号矩形干涉波导的上表面以及七号夹包层的上表面，通过CVD方法沉积制作厚度为20微米的上包层(17)，并且上包层的折射率等于下包层的折射率；先垂直切割出四号矩形干涉波导的信号光输入端，垂直切割出二号矩形干涉波导和六号矩形干涉波导的输出端，然后通过封装技术进行贴盖板封装。