[发明专利]脉宽幅值可调的宽带高压窄脉冲系统及脉冲产生方法有效
| 申请号： | 201410835429.2 | 申请日： | 2014-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN104586435A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 吕铁军;向永嘉;徐杰;崔崤峣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 |
| 主分类号： | A61B8/12 | 分类号： | A61B8/12;A61B8/10 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 曹毅 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于高频高压脉冲技术领域，公开了脉宽幅值可调的宽带高压窄脉冲系统及脉冲产生方法，系统包括控制信号调整模块、MOSFET驱动模块、P型MOSFET和N型MOSFET、脉冲幅值调整模块，控制信号调整模块接MOSFET驱动模块，MOSFET驱动模块接P型MOSFET和N型MOSFET，脉冲幅值调整模块接入P型MOSFET和N型MOSFET。本发明的脉宽幅值可调的宽带高压窄脉冲系统产生的脉冲带宽、幅值易于调节和控制，并且其脉冲的频率非常高，可用于提高高频超声成像系统的相应性能，也可满足不同频率的换能器测试和成像应用。 | ||
| 搜索关键词： | 宽幅 可调 宽带 高压 脉冲 系统 产生 方法 | ||
【主权项】：
脉宽幅值可调的宽带高压窄脉冲系统，其特征在于：包括控制信号调整模块、MOSFET驱动模块、P型MOSFET和N型MOSFET、脉冲幅值调整模块，控制信号调整模块接MOSFET驱动模块，MOSFET驱动模块接P型MOSFET和N型MOSFET，脉冲幅值调整模块接入P型MOSFET和N型MOSFET。
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