[发明专利]移位寄存装置有效
申请号: | 201410705332.X | 申请日: | 2014-11-28 |
公开(公告)号: | CN104332182B | 公开(公告)日: | 2018-03-09 |
发明(设计)人: | 刘立伟;詹秉燏;洪凯尉;陈勇志 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G11C19/28 | 分类号: | G11C19/28;G09G3/36 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 梁挥,田景宜 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种移位寄存装置。移位寄存单元依据时脉周期不同的第一时脉信号与第二时脉信号来产生具有多重时脉的驱动信号,其中透过先后关闭移位寄存单元中上拉电路以及输出下拉电路可延长驱动信号的致能期间,而获得足够进行数据写入的时间。 | ||
搜索关键词: | 移位 寄存 装置 | ||
【主权项】:
一种移位寄存装置,其特征在于,包括:多个移位寄存单元,该些移位寄存单元相互串连耦接,其中第N级的移位寄存单元包括:一上拉控制电路,依据一N‑P级的充电信号产生一上拉控制信号;一传递电路,耦接该上拉控制电路,依据该上拉控制信号以及一第一时脉信号产生一充电信号;一上拉电路,耦接该上拉控制电路,依据一第二时脉信号以及该上拉控制信号产生一驱动信号,其中该第一时脉信号的周期大于该第二时脉信号的周期;一下拉电路,耦接该上拉控制电路以及该传递电路,依据一第一下拉控制信号拉低该上拉控制信号的电压准位,以维持该驱动信号的电压准位;以及一输出下拉电路,耦接该上拉电路,依据一第二下拉控制信号拉低该驱动信号的电压准位,其中N、P为正整数且P小于N;该上拉控制电路包括:一第一晶体管,一第二晶体管,与该第一晶体管串接于该N‑P级的充电信号的接收端与该传递电路之间,该第一晶体管与该第二晶体管的控制端接收该N‑P级的起始信号;以及一第三晶体管,其第一端耦接该第一晶体管与该第二晶体管的共同接点,该第三晶体管的第二端耦接该第三晶体管的控制端以及该传递电路。
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