[发明专利]高能量离子注入装置、射束电流调整装置及射束电流调整方法在审
| 申请号： | 201410675978.8 | 申请日： | 2014-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN104658843A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 稻田耕二;加藤浩二 | 申请（专利权）人： | 斯伊恩股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/21;H01J37/09 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种高能量离子注入装置、射束电流调整装置及射束电流调整方法，其课题在于例如在高能量离子注入装置中调整注入射束电流。本发明的用于离子注入装置的射束电流调整装置(300)具备配置于离子束的会聚点(P)或其附近的可变孔隙(302)。可变孔隙(302)构成为，调整会聚点(P)的与离子束的会聚方向垂直的方向的射束宽度，以控制注入射束电流。可变孔隙(302)可以配置于紧接质量分析狭缝(22b)的后方。射束电流调整装置(300)也可以设置于具有高能量多段直线加速单元(14)的高能量离子注入装置(100)。 | ||
| 搜索关键词： | 高能量 离子 注入 装置 电流 调整 方法 | ||
【主权项】：
一种高能量离子注入装置,具有高能量多段直线加速单元，所述高能量离子注入装置的特征在于，具备：射束线构成要件，配设于所述高能量多段直线加速单元的上游或下游，并且形成离子束的会聚点；及可变孔隙，配置于所述会聚点或其附近，并且被构成为调整所述会聚点的与所述离子束的会聚方向垂直的方向的射束宽度，以控制注入射束电流。
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