[发明专利]晶体硅体少子寿命的测试方法有效
| 申请号： | 201410673901.7 | 申请日： | 2014-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN104359737B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 叶继春;潘淼;高平奇;韩灿 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 李芙蓉 |
| 地址： | 315201 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种晶体硅体少子寿命的测试方法，包括以下步骤S100去除待测晶体硅表面的污垢和氧化层；将去除表面污垢和氧化层的待测晶体硅置于化学腐蚀液中浸泡30s～10min；将所述经化学腐蚀液浸泡后的待测晶体硅进行光照处理和/或热处理；S200对所述经过步骤S100处理的待测晶体硅进行厚度测量和表观少子寿命测试；S300将步骤S200得到的厚度和表观少子寿命代入公式中，得到晶体硅的体少子寿命其中，τeff代表表观少子寿命；τbulk代表体少子寿命；Dn代表少子扩散系数；W代表待测晶体硅的厚度。利用本发明的方法大大提高了测试结果的准确度，能够准确反映待测晶体硅的质量，且该方法重复性好，具有很高的实际应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 少子 寿命 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体硅体少子寿命的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：S100：去除待测晶体硅表面的污垢和氧化层；将去除表面污垢和氧化层的待测晶体硅置于化学腐蚀液中浸泡30s～10min，所述化学腐蚀液为氢氟酸、氧化剂和去离子水的混合液，所述氢氟酸、所述氧化剂和所述去离子水的体积比为(3～0.1):1:(1～3)，所述氧化剂为浓度为0.1mol/L～0.5mol/L的亚硝酸钠溶液或浓度为0.1mol/L～0.5mol/L的重铬酸钾溶液；将所述经化学腐蚀液浸泡后的待测晶体硅进行光照处理和/或热处理，所述光照处理的条件为：将所述腐蚀后的待测晶体硅置于氙灯或紫外灯下照射5min～30min，所述热处理的条件为：将所述腐蚀后的待测晶体硅置于烘箱中，通入保护气体，于200℃～350℃下保温10s～30min；S200：对所述经过步骤S100处理的待测晶体硅进行厚度测量和表观少子寿命测试；S300：将步骤S200得到的厚度和表观少子寿命代入以下公式中，得到待测晶体硅的体少子寿命：其中，τeff代表表观少子寿命；τbulk代表体少子寿命；Dn代表少子扩散系数；W代表待测晶体硅的厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院宁波材料技术与工程研究所，未经中国科学院宁波材料技术与工程研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410673901.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用原子吸收光谱仪测定橡胶中锌含量的方法
- 下一篇：登高车
