[发明专利]具连接到浮动扩散区的半导体电容的背感光式半导体结构有效

专利信息
申请号: 201410628233.6 申请日: 2014-11-10
公开(公告)号: CN105304655B 公开(公告)日: 2018-06-29
发明(设计)人: 陈经纬;颜文正 申请(专利权)人: 原相科技股份有限公司
主分类号: H01L27/144 分类号: H01L27/144
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司 11283 代理人: 孙向民;肖冰滨
地址: 中国台湾新竹科学*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明是一种具连接到浮动扩散区的半导体电容的背感光式半导体结构,其可通过在浮动扩散区上方设置半导体电容来缩减浮动扩散区的面积,减少照光时,入射光线对于浮动扩散区的影响,并可增进收光效率。
搜索关键词: 浮动扩散区 半导体电容 感光式半导体 入射光线 收光效率 照光
【主权项】:
1.一种背感光式半导体结构,包含:基体,具有感光表面;光感测区,位于所述基体内部,用以接收经由所述感光表面穿透所述基体的光线并发生光电效应而产生感应电荷;浮动扩散区,位于所述基体内部,用以暂时储存所述光感测区所产生的所述感应电荷;传递栅极,连结所述光感测区及所述浮动扩散区,用以控制所述光感测区所产生的所述感应电荷流向所述浮动扩散区;及半导体电容,包含第一电极及第二电极,其中所述第一电极电性连接到所述浮动扩散区并与所述光感测区具有重叠区域,所述半导体电容用以与所述浮动扩散区共同暂时储存所述光感测区所产生的所述感应电荷,且所述半导体电容的所述第一电极作为反光层用于将第一次没有被所述光感测区所吸收的光线反射回所述光感测区。
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