[发明专利]具连接到浮动扩散区的半导体电容的背感光式半导体结构有效
申请号: | 201410628233.6 | 申请日: | 2014-11-10 |
公开(公告)号: | CN105304655B | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 陈经纬;颜文正 | 申请(专利权)人: | 原相科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 孙向民;肖冰滨 |
地址: | 中国台湾新竹科学*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明是一种具连接到浮动扩散区的半导体电容的背感光式半导体结构,其可通过在浮动扩散区上方设置半导体电容来缩减浮动扩散区的面积,减少照光时,入射光线对于浮动扩散区的影响,并可增进收光效率。 | ||
搜索关键词: | 浮动扩散区 半导体电容 感光式半导体 入射光线 收光效率 照光 | ||
【主权项】:
1.一种背感光式半导体结构,包含:基体,具有感光表面;光感测区,位于所述基体内部,用以接收经由所述感光表面穿透所述基体的光线并发生光电效应而产生感应电荷;浮动扩散区,位于所述基体内部,用以暂时储存所述光感测区所产生的所述感应电荷;传递栅极,连结所述光感测区及所述浮动扩散区,用以控制所述光感测区所产生的所述感应电荷流向所述浮动扩散区;及半导体电容,包含第一电极及第二电极,其中所述第一电极电性连接到所述浮动扩散区并与所述光感测区具有重叠区域,所述半导体电容用以与所述浮动扩散区共同暂时储存所述光感测区所产生的所述感应电荷,且所述半导体电容的所述第一电极作为反光层用于将第一次没有被所述光感测区所吸收的光线反射回所述光感测区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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