[发明专利]光罩的缺陷修复方法及光罩有效
申请号: | 201410542511.6 | 申请日: | 2014-10-14 |
公开(公告)号: | CN105511222B | 公开(公告)日: | 2019-11-08 |
发明(设计)人: | 施维;任快侠 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/72 | 分类号: | G03F1/72 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;张永明 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本申请公开了一种光罩的缺陷修复方法及光罩。其中,该缺陷修复方法包括:打开光罩的原始数据文件以获取光罩的原始图形,并通过修正原始图形以获取光罩的参考图形;采用扫描机台对部分光罩进行扫描,以获取光罩缺陷的SEM图形;将参考图形和SEM图形进行对比,以定位光罩中的缺陷的位置;修补光罩中的缺陷。该方法从光罩的原始数据文件获取光罩的参考图形,因而该方法能够获得任何光罩的参考图形,从而解决了难以找到光罩的参考图形的问题。 | ||
搜索关键词: | 光罩 缺陷修复 参考 原始数据文件 原始图形 扫描机台 扫描 修补 修正 申请 | ||
【主权项】:
1.一种光罩的缺陷修复方法,其特征在于,所述缺陷修复方法包括:打开光罩的原始数据文件以获取所述光罩的原始图形,并通过修正所述原始图形以获取所述光罩的参考图形;采用扫描机台对部分所述光罩进行扫描,以获取所述光罩的SEM图形;将所述参考图形和所述SEM图形进行对比,以定位所述光罩中的缺陷的位置;修补所述光罩中的缺陷;修正所述原始图形的步骤包括:截取所述原始图形中对应于所述SEM图形的部分作为初始参考图形;对所述初始参考图形进行边角圆滑处理和轮廓抽边处理,以获得中间参考图形;对所述中间参考图形进行放大处理,以获得与所述SEM图形尺寸匹配的所述参考图形。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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