[发明专利]光罩的缺陷修复方法及光罩有效
申请号: | 201410542511.6 | 申请日: | 2014-10-14 |
公开(公告)号: | CN105511222B | 公开(公告)日: | 2019-11-08 |
发明(设计)人: | 施维;任快侠 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/72 | 分类号: | G03F1/72 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;张永明 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光罩 缺陷修复 参考 原始数据文件 原始图形 扫描机台 扫描 修补 修正 申请 | ||
本申请公开了一种光罩的缺陷修复方法及光罩。其中,该缺陷修复方法包括:打开光罩的原始数据文件以获取光罩的原始图形,并通过修正原始图形以获取光罩的参考图形;采用扫描机台对部分光罩进行扫描,以获取光罩缺陷的SEM图形;将参考图形和SEM图形进行对比,以定位光罩中的缺陷的位置;修补光罩中的缺陷。该方法从光罩的原始数据文件获取光罩的参考图形,因而该方法能够获得任何光罩的参考图形,从而解决了难以找到光罩的参考图形的问题。
技术领域
本申请涉及半导体集成电路的技术领域,具体而言,涉及一种光罩的缺陷修复方法及光罩。
背景技术
在半导体集成电路的制作过程中,需要采用光罩定义电路图形的位置,然后通过光刻机对所投影的电路图形进行光刻蚀,以在半导体基材上形成所需器件。形成光罩的方法包括:首先,在石英玻璃上沿远离石英玻璃的方向依次镀上一层金属铬和感光胶;然后,把已设计好的电路图形通过电子激光设备曝光在感光胶上;最后,沿感光胶中的图案刻蚀金属铬以形成电路图形。该方法通常会在所形成光罩中引入缺陷,例如刻蚀金属铬时曝光能量不均或金属铬上沾染少许环境中的微粒等均会在所形成的光罩中引入缺陷,从而使得光罩中图形产生误差。
现有技术中通常对光罩上的缺陷进行修复,以减少光罩中图形误差,并获得合乎设计要求的光罩。目前,一般采用图形对比方法对待修复光罩中的缺陷进行修复。该修复方法包括以下步骤:首先,获取正常光罩(不含缺陷的光罩)或待修复光罩中的其他正常区域的SEM图形,并将此SEM图形作为参考图形;然后,采用扫描机台对待修复光罩进行扫描,以获取待修复光罩的SEM图形;接下来,将参考图形和待修复光罩的SEM图形进行对比,以确定待修复光罩中的缺陷位置,进而确认需要修复的位置;最后,对待修复光罩中的缺陷进行修复。
然而,对于一些独特的光罩,特别是具有较小的特征尺寸、较小的缺陷标准的光罩,可能存在无法取得一个正常光罩(不含缺陷的光罩)。对此类待修复光罩进行修复的方法中,很难找到合适的参考图形,使得待修复光罩的修复方法无法实现。同时,现有修复方法中通常是通过肉眼观察以对光罩的原始数据文件和待修复光罩的SEM图形进行对比,因此所获取光罩中的缺陷的位置往往不够准确,影响了修复的准确性。针对上述问题,目前还没有有效的解决方法。
发明内容
本申请旨在提供一种光罩的缺陷修复方法及光罩,以解决光罩的缺陷修复方法中难以找到参考图形的问题。
为了实现上述目的,本申请提供了一种光罩的缺陷修复方法及光罩,该缺陷修复方法包括:打开光罩的原始数据文件以获取光罩的原始图形,并通过修正原始图形以获取光罩的参考图形;采用扫描机台对部分光罩进行扫描,以获取光罩的SEM图形;将参考图形和SEM图形进行对比,以定位光罩中的缺陷的位置;修补光罩中的缺陷。
进一步地,上述缺陷修复方法中,修正原始图形的步骤包括:截取原始图形中对应于SEM图形的部分作为初始参考图形;对初始参考图形进行边角圆滑处理和轮廓抽边处理,以获得中间参考图形;对中间参考图形进行放大处理,以获得与所述SEM图形尺寸匹配的参考图形。
进一步地,上述缺陷修复方法中,获取原始图形的步骤中,打开存放于工作台视窗系统中的原始数据文件以获得原始图形。
进一步地,上述缺陷修复方法中,获取初始参考图形的步骤中,截取边长为2~4μm的原始图形作为初始参考图形。
进一步地,上述缺陷修复方法中,获取中间参考图形的步骤中,采用工作台视窗系统自动对初始参考图形进行边角圆滑处理和轮廓抽边处理,以获得中间参考图形。
进一步地,上述缺陷修复方法中,获取中间参考图形的步骤包括:采用工作台视窗系统对参考图形进行边角圆滑处理,以使初始参考图形的垂直边角形成圆角;采用工作台视窗系统对边角圆滑处理后的初始参考图形进行轮廓抽边处理,以获得边角圆滑处理后的初始参考图形的图形轮廓,并将图形轮廓作为中间参考图形。
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