[发明专利]双轨预充电逻辑单元结构

摘要

双轨预充电逻辑单元结构，属于电路电子领域，本发明为解决在面积开支不大的情况下，有效解决提前传播效应的问题。本发明与‑与非逻辑包括单轨与逻辑电路和单轨与非逻辑电路；两个电路均具有四个输入端，分别连接四个输入信号a、b和单轨与逻辑电路的输出信号y为输入信号a和b的与逻辑结果；单轨与非逻辑电路的输出信号为输入信号a和b的与非逻辑结果；或‑或非逻辑包括单轨或逻辑电路和单轨或非逻辑电路；两个电路均具有四个输入端，分别连接四个输入信号a、b和单轨或逻辑电路的输出信号y为输入信号a和b的或逻辑结果；单轨或非逻辑电路的输出信号为输入信号a和b的或非逻辑结果。

主权项

双轨预充电逻辑单元结构，为与‑与非逻辑，其特征在于，它包括单轨与逻辑电路和单轨与非逻辑电路；单轨与逻辑电路和单轨与非逻辑电路均具有四个输入端，分别连接四个输入信号a、b和单轨与逻辑电路的输出信号y为输入信号a和b的与逻辑结果；单轨与非逻辑电路的输出信号为输入信号a和b的与非逻辑结果；输入信号a，b和都为0时，逻辑单元处于预充电状态；输入信号a和为互补信号，且b和也为互补信号时，逻辑单元处于逻辑运算状态；单轨与逻辑电路包括NMOS晶体管N1'、NMOS晶体管N2'、NMOS晶体管N3'、NMOS晶体管N4'、NMOS晶体管N5'、NMOS晶体管N6'、PMOS晶体管P1'、PMOS晶体管P2'、PMOS晶体管P3'、PMOS晶体管P4'、PMOS晶体管P5'、PMOS晶体管P6'和反相器I1'；NMOS晶体管N1'的源极和NMOS晶体管N2'的源极公共端连接输入信号NMOS晶体管N1'的漏极同时连接NMOS晶体管N2'的漏极、PMOS晶体管P3'的漏极和NMOS晶体管N5'的源极，并形成公共节点nb1；PMOS晶体管P3'的源极连接PMOS晶体管P4'的漏极，PMOS晶体管P4'的源极连接电源VDD；NMOS晶体管N5'的漏极同时连接PMOS晶体管P1'的漏极、NMOS晶体管N6'的漏极和反相器I1'的输入端，并形成公共节点nb3；反相器I1'的输出端输出信号y；PMOS晶体管P1'的源极连接PMOS晶体管P2'漏极，PMOS晶体管P2'的源极连接电源VDD；NMOS晶体管N3'的源极和NMOS晶体管N4'的源极公共端连接输入信号NMOS晶体管N3'的漏极同时连接NMOS晶体管N4'的漏极、PMOS晶体管P5'的漏极和NMOS晶体管N6'的源极，并形成公共节点nb2；PMOS晶体管P5'的源极连接PMOS晶体管P6'的漏极，PMOS晶体管P6'的源极连接电源VDD；单轨与非逻辑电路包括NMOS晶体管N1、NMOS晶体管N2、NMOS晶体管N3、NMOS晶体管N4、NMOS晶体管N5、NMOS晶体管N6、PMOS晶体管P1、PMOS晶体管P2、PMOS晶体管P3、PMOS晶体管P4、PMOS晶体管P5、PMOS晶体管P6和反相器I1；NMOS晶体管N1的源极和NMOS晶体管N2的源极公共端连接输入信号a；NMOS晶体管N1的漏极同时连接NMOS晶体管N2的漏极、PMOS晶体管P3的漏极和NMOS晶体管N5的源极，并形成公共节点n1；PMOS晶体管P3的源极连接PMOS晶体管P4的漏极，PMOS晶体管P4的源极连接电源VDD；NMOS晶体管N5的漏极同时连接PMOS晶体管P1的漏极、NMOS晶体管N6的漏极和反相器I1的输入端，并形成公共节点n3；反相器I1的输出端输出信号PMOS晶体管P1的源极连接PMOS晶体管P2漏极，PMOS晶体管P2的源极连接电源VDD；NMOS晶体管N3的源极和NMOS晶体管N4的源极公共端连接输入信号b；NMOS晶体管N3的漏极同时连接NMOS晶体管N4的漏极、PMOS晶体管P5的漏极和NMOS晶体管N6的源极，并形成公共节点n2；PMOS晶体管P5的源极连接PMOS晶体管P6的漏极，PMOS晶体管P6的源极连接电源VDD；NMOS晶体管N2'的栅极、NMOS晶体管N4'的栅极、PMOS晶体管P3'的栅极、PMOS晶体管P5'的栅极、NMOS晶体管N2的栅极、NMOS晶体管N4的栅极、PMOS晶体管P3的栅极和PMOS晶体管P5的栅极都连接输入信号a；NMOS晶体管N1'的栅极、NMOS晶体管N3'的栅极、PMOS晶体管P4'的栅极、PMOS晶体管P6'的栅极、NMOS晶体管N1的栅极、NMOS晶体管N3的栅极、PMOS晶体管P4的栅极和PMOS晶体管P6的栅极都连接输入信号NMOS晶体管N5'的栅极、PMOS晶体管P1'的栅极、NMOS晶体管N5的栅极和PMOS晶体管P1的栅极都连接输入信号b；NMOS晶体管N6'的栅极、PMOS晶体管P2'的栅极、NMOS晶体管N6的栅极和PMOS晶体管P2的栅极都连接输入信号