[发明专利]一种碳纳米管阵列-聚吡咯-硫复合材料无效
| 申请号： | 201410454920.0 | 申请日： | 2014-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN104201356A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 赵宇光;钟毓娟 | 申请（专利权）人： | 南京中储新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/60;H01M4/62;H01M10/054 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 210000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳纳米管阵列-聚吡咯-硫复合材料及其制备方法，以及其在二次铝电池中的应用。所述复合材料以垂直生长在导电基底表面的碳纳米管阵列为导电骨架，其间均匀负载活性物质，所述活性物质为单质硫和聚吡咯。该复合材料可直接作为正极，无需添加导电剂和粘结剂，制备工序简单，成本低廉，能量密度高。应用此复合正极的二次铝电池容量高、循环性能好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 阵列 吡咯 复合材料 | ||
【主权项】：
一种碳硫复合材料，包括：1) 垂直生长于导电基底表面的碳纳米管阵列；2) 活性物质，其特征在于，所述活性物质包含聚吡咯和硫。
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