[发明专利]光电转换元件的制造方法

摘要

本发明提供光电转换元件的制造方法。这是在第一电极上形成包含黄铜矿型化合物、黄锡矿型化合物和锌黄锡矿型化合物的化合物半导体中的至少任一种的光电转换层的光电转换元件的制造方法，其中，形成光电转换层的工序包括：光电转换层前驱体形成工序，在第一电极上形成包含黄铜矿型化合物、黄锡矿型化合物和锌黄锡矿型化合物的化合物半导体中的至少任一种的光电转换层前驱体；和浸渍工序，在光电转换层前驱体形成工序后，在0℃以上且60℃以下，将形成于第一电极上的光电转换层前驱体浸渍于具有IIa族以及IIb族的至少1种元素的液体中，光电转换层前驱体的第一电极侧的化合物半导体是非晶质，或者，其平均晶体粒径比与第一电极相反一侧的化合物半导体的平均晶体粒径大。

主权项

一种光电转换元件的制造方法，是在第一电极上形成包含黄铜矿型化合物、黄锡矿型化合物和锌黄锡矿型化合物的化合物半导体中的至少任一种的光电转换层的光电转换元件的制造方法，其特征在于，形成所述光电转换层的工序包括：光电转换层前驱体形成工序，在所述第一电极上，形成包含黄铜矿型化合物、黄锡矿型化合物和锌黄锡矿型化合物的化合物半导体中的至少任一种的光电转换层前驱体；和浸渍工序，在所述光电转换层前驱体形成工序后，在0℃以上且60℃以下，将形成于所述第一电极上的所述光电转换层前驱体浸渍于具有IIa族以及IIb族的至少1种元素的液体中，所述光电转换层前驱体的所述第一电极侧的所述化合物半导体是非晶质，或者，所述第一电极侧的所述化合物半导体的平均晶体粒径比与所述第一电极相反一侧的所述化合物半导体的平均晶体粒径大。