[发明专利]发光装置和电子设备

摘要

一种发光装置，具有反射层与半透过反射层间的光程根据每个发光区域调整了的共振结构，发光层进行第1波长区域和比第1波长区域短波长侧的第2波长区域的内部发光，第1波长区域的发光峰值波长λ_LIN、第1波长区域的共振峰值波长λ_LC和第1波长区域的输出波长λ_LOUT大体一致，并且，第2波长区域的发光峰值波长λ_SIN、第2波长区域的共振峰值波长λ_SC和第2波长区域的输出波长λ_SOUT满足λ_SIN＞λ_SOUT＞λ_SC的关系，以用发光峰值波长λ_SIN的发光强度与共振峰值波长λ_SC发光强度的积表示的输出波长λ_SOUT的发光强度为输出波长λ_LOUT的发光强度的15％以下的方式调整阵列腔层和发光层的膜厚。

主权项

一种发光装置，其特征在于，具备：反射层，阵列腔层，其包含配置在所述反射层上的透明层和配置在该透明层上的透明电极层，发光层，配置在所述阵列腔层上，以及半透过反射层，配置在所述发光层上；并且，具有所述反射层与半透过反射层之间的光程根据每个发光区域被调整了的共振结构，所述发光层进行第1波长区域与比该第1波长区域短波长侧的第2波长区域的内部发光，其中，在将所述内部发光中的所述第1波长区域的发光峰值波长设为λ_LIN、将所述共振中的所述第1波长区域的共振峰值波长设为λ_LC、将所述第1波长区域的输出波长设为λ_LOUT，将所述内部发光中的所述第2波长区域的发光峰值波长设为λ_SIN、将所述共振中的所述第2波长区域的共振峰值波长设为λ_SC、将所述第2波长区域的输出波长设为λ_SOUT时，所述第1波长区域的发光峰值波长λ_LIN、所述第1波长区域的共振峰值波长λ_LC和所述第1波长区域的输出波长λ_LOUT大体一致，并且，所述第2波长区域的发光峰值波长λ_SIN、所述第2波长区域的共振峰值波长λ_SC和所述第2波长区域的输出波长λ_SOUT满足下述关系：发光峰值波长λ_SIN＞输出波长λ_SOUT＞共振峰值波长λ_SC，以所述输出波长λ_SOUT的发光强度为所述输出波长λ_LOUT的发光强度的15％以下的方式调整了所述阵列腔层和发光层的膜厚，其中，所述输出波长λ_SOUT的发光强度用所述发光峰值波长λ_SIN的发光强度与所述共振峰值波长λ_SC的发光强度的积来表示。