[发明专利]一种Ti-Si-N纳米晶-非晶复合陶瓷材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201410411023.1 | 申请日： | 2014-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104177088A | 公开（公告）日： | 2014-12-03 |
| 发明（设计）人： | 杨兵;万强;郑继云;陈燕鸣 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;C04B35/587;C04B35/622 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Ti-Si-N纳米晶-非晶复合陶瓷材料及其制备方法。以高纯TiN纳米粉末以及氮化硅纳米粉末为原料，然后采用放电等离子烧结技术对Ti-Si-N块体材料进行烧结，控制烧结参数，烧结出晶粒尺度为5-200纳米的Ti-Si-N块体复合材料。其制备方法是：在混粉器中对高纯TiN纳米粉末以及氮化硅纳米粉末经过充分搅拌混合，压制成型，随后在放电等离子设备中进行一定温度和压力条件下烧结，控制烧结时间，烧结结束后获得Ti-Si-N块体复合材料。该纳米晶-非晶复合陶瓷材料具有耐高温、耐磨损和耐腐蚀特点，在高温机械零部件及切削刀具领域具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ti si 纳米 复合 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Ti‑Si‑N纳米晶‑非晶复合陶瓷材料，其特征在于：所述复合陶瓷材料由纳米晶TiN和纳米晶氮化硅复合而成，纳米晶TiN镶嵌在非晶的氮化硅中，TiN纳米晶粒度为5‑200纳米，晶界氮化硅厚度为0.5‑50纳米。
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