[发明专利]一种具有多粗化层的红外发光二极管的粗化方法

摘要

本发明公开一种具有多粗化层的红外发光二极管的粗化方法，在基板上形成发光结构，在发光结构上形成N层粗化层，在粗化层上形成第一电极，在基板另一面形成第二电极；采用干法蚀刻在最外层粗化层表面形成粗化界面，蚀刻深度至第二粗化层接触表面；用粗化液蚀刻最外层粗化层及第二粗化层露出部分表面及侧面，形成粗化界面；用ICP在露出第二粗化层表面形成面积较最外层粗化层小的粗化界面，蚀刻深度至第三粗化层接触表面；用粗化液蚀刻第二粗化层及第三粗化层露出的部分表面及侧面，形成粗化界面；重复操作步骤四及步骤五，至露出N层粗化层表面及侧面，形成粗化界面。本发明增加二极管表面出光面积，提高红外发光二极管的外量子效率。

主权项

一种具有多粗化层的红外发光二极管的粗化方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，在基板上形成发光结构，在发光结构上与基板相对的一侧形成N层粗化层，N≧3；步骤二，采用具有元素监测的干法蚀刻ICP在最外层粗化层表面形成粗化界面，蚀刻深度至与其相邻的第二粗化层接触表面；步骤三，采用粗化液蚀刻最外层粗化层及其相邻的第二粗化层露出的部分表面及侧面，形成粗化界面；步骤四，接着ICP刻蚀的掩膜，采用ICP在露出的第二粗化层的表面形成面积较最外层粗化层小的粗化界面，蚀刻深度至与第二粗化层相邻的第三粗化层接触表面；步骤五，采用粗化液蚀刻第二粗化层及与第二粗化层相邻的第三粗化层露出的部分表面及侧面，形成粗化界面；步骤六，重复操作步骤四及步骤五，直至露出N层粗化层表面，并形成粗化界面。