[发明专利]电平转换器

摘要

本发明涉及电平转换器。一种电平转换器，其包括高击穿电压第一和第二PMOS晶体管；高击穿电压第一和第二抑制NMOS晶体管，该高击穿电压第一和第二抑制NMOS晶体管具有分别被供应有第一和第二控制信号的栅极；低击穿电压第一和第二NMOS晶体管，该低击穿电压第一和第二NMOS晶体管具有分别被供应有第三和第四控制信号的栅极；以及时序控制单元，该时序控制单元生成与输入信号的反转信号相对应的第一控制信号和与第一控制信号不同的第三控制信号，并且生成与输入信号的非反转信号相对应的第二控制信号和与第二控制信号不同的第四控制信号。

主权项

1.一种电平转换器，包括：高击穿电压第一和第二PMOS晶体管，所述高击穿电压第一和第二PMOS晶体管被并行地放置在第一电源电压端子和参考电压端子之间，每个晶体管具有与另一个晶体管的漏极相连接的栅极；高击穿电压第一和第二抑制NMOS晶体管，所述高击穿电压第一和第二抑制NMOS晶体管被放置在所述第一和第二PMOS晶体管与所述参考电压端子之间，并且具有分别被供应有第一和第二控制信号的栅极；低击穿电压第一和第二NMOS晶体管，所述低击穿电压第一和第二NMOS晶体管被放置在所述第一和第二抑制NMOS晶体管和所述参考电压端子之间，并且具有分别被供应有第三和第四控制信号的栅极；以及时序控制单元，所述时序控制单元被放置在第二电源电压端子和所述参考电压端子之间，所述第二电源电压端子被供应有低于被供应给所述第一电源电压端子的第一电源电压的第二电源电压，所述时序控制单元生成与输入信号的反转信号相对应的所述第一控制信号和所述第三控制信号，所述第三控制信号不同于所述第一控制信号，并且生成与所述输入信号的非反转信号相对应的所述第二控制信号和所述第四控制信号，所述第四控制信号不同于所述第二控制信号，其中，所述时序控制单元生成相比于所述第三和第四控制信号而在上升沿具有低的压摆率的所述第一和第二控制信号，并且生成相比于所述第一和第二控制信号而在下降沿具有低的压摆率的所述第三和第四控制信号。