[发明专利]全彩微型OLED显示器结构及其制备工艺

摘要

全彩微型OLED显示器结构及其制备工艺，涉及硅片为基板的全彩微型有机发光显示器件技术领域，尤其是激光转印技术形成的顶部发光全彩微型OLED显示器结构及其制备工艺，其特征在于采用激光转印方法制备发光层，再用于全彩微型OLED显示器中。本发明的一种全彩微型OLED显示器结构及其制备工艺，采用激光转印技术应用于全彩微型OLED显示器结构，与传统的采用彩色过滤层的OLED显示器结构相比，光输出率明显提高。

主权项

全彩微型OLED显示器结构，包括一个具备显示器驱动电路的硅基板和一个形成在硅基板上的OLED全彩微型OLED显示器，其特征在于该全彩微型OLED显示器包括：一个阳极层；一个空穴功能层，至少包括一个空穴注入层和一个空穴传输层；一个介于空穴功能层和电子功能层之间的发光层；一个电子功能层，至少包含一个电子注入层和一个电子传输层；一个阴极层；一个密封薄膜层及一个玻璃盖板；本发明的全彩微型OLED显示器，其特征在于具体包括以下步骤：在硅基板上蒸镀阳极，阳极材料为Al，Ag，Cr，Mo，Pt，Cu等中的一种或任意几种，阳极的厚度为0.5‑100nm；在阳极上顺序蒸镀空穴注入层、空穴传输层；其中空穴注入层材料为CuPc、MoO₃、1‑TNATA、2‑TNATA中的任意一种，厚度为5‑30nm；空穴传输层材料为NPB、Spiro‑TAD、TDAB中的任意一种，厚度为5‑30nm；采用激光热转印方法先形成给体元件，其步骤如下：分别制备好红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层的给体元件；其中给体元件由给体基板、缓冲层、待转移发光层组成；给体基板材料为采用柔性聚合物薄膜，基板厚度范围为0.03‑0.15mm；缓冲层由三层结构组成，第一层与基板相邻，为TiO₂、SiO₂、Al₂O₃中任意一种，厚度范围为500‑1000nm；第二层位于第一层上方，为金属铝、铋、锡、铟、锌、碲中的任意一种和铝.、铋、锡、铟、锌、碲、钛、钼、钨、钴、镍、铂、金、银、铁、铅的金属氧化物中的任意一种的复合结构，厚度范围为300‑1000nm；第三层位于第二层上方，材质、厚度与第一层一致；待转移发光层的厚度范围为10‑50nm，待转移发光层由客体掺杂材料按照0.01%‑10%的重量比掺杂到主体材料中，其中：红色待转移发光层主体材料为8‑羟基喹啉铝（Alq₃）、CBP、TPBi以及TCTA中的任意一种，掺杂材料为DCM、DCJ和DCJTB中任意一种；绿色待转移发光层主体材料8‑羟基喹啉铝（Alq₃）、CBP、TPBi以及TCTA中的任意一种，掺杂材料为C545T、C545TB和C545TM中任意一种；蓝色待转移发光层的主体材料为ADN、MADN、DSA、芴类和芘中及其衍生物中任意一种，掺杂材料主要为TBP、DSA‑Ph中的任意一种；将制备好红色发光层的给体元件放置在已制备好的空穴传输层上，采用激光光束透过掩膜板和物镜形成方形光束，激光光束将制备在给体元件上红色待转移发光层对应转移到空穴传输层上形成红色发光层；采取同样的方法，将绿色发光层的给体元件和蓝色发光层的给体元件分别对应转移到制备好的空穴传输层上形成绿色发光层和蓝色发光层；在发光层上按顺序蒸镀电子传输层、电子注入层、阴极层和密封薄膜层；电子传输层为Bphen、BCP、PBD中的任意一种，厚度为5‑30 nm；电子注入层材料为LiF、Li₂O、Li:Alq₃中的任意一种，厚度为1‑10 nm；阴极层材料为Al、Mg:Ag中的任意一种，厚度为1‑10nm；密封薄膜层材料为Al₂O₃、SiN、SiO₂中的任意一种，厚度为50‑ 3000nm；贴玻璃盖片保护显示器。