[发明专利]阱区制备方法

摘要

本发明公开了一种阱区制备方法，包括步骤：提供衬底；在所述衬底表面形成具有第一厚度且边缘垂直于所述衬底表面的第一光阻层；注入第二掺杂类型离子，形成第二掺杂类型阱区以及第二掺杂类型扩散区；去除第一光阻层，形成第二光阻层，所述第二光阻层完全覆盖所述第二掺杂类型阱区；在所述第二掺杂类型扩散区注入第一掺杂类型离子以中和第二掺杂类型扩散区中的第二掺杂类型离子；在经过中和后的第二掺杂类型扩散区注入第一掺杂类型离子，形成第一掺杂类型阱区。上述阱区制备方法，不会出现第二掺杂类型阱区注入范围过大以及第一掺杂类型阱区区域过小的问题，使得阱区的隔离能力强。 1

主权项

1.一种阱区制备方法，用于制备具有第一掺杂类型阱区，包括步骤：

提供衬底；

在所述衬底表面形成具有第一厚度且边缘垂直于所述衬底表面的第一光阻层，所述第一光阻层完全覆盖所述衬底上需要制备第一掺杂类型阱区的区域；

注入第二掺杂类型离子，在所述衬底上未被所述第一光阻层覆盖区域形成第二掺杂类型阱区，在所述衬底上被所述第一光阻层覆盖区域形成第二掺杂类型扩散区；

去除第一光阻层，形成第二光阻层；所述第二光阻层完全覆盖所述第二掺杂类型阱区，且将所述第二掺杂类型扩散区予以暴露；

在所述第二掺杂类型扩散区注入第一掺杂类型离子以中和第二掺杂类型扩散区中的第二掺杂类型离子；

在经过中和后的第二掺杂类型扩散区注入第一掺杂类型离子，形成第一掺杂类型阱区。

2.根据权利要求1所述的阱区制备方法，其特征在于，所述在所述第二掺杂类型扩散区注入第一掺杂类型离子以中和第二掺杂类型扩散区中的第二掺杂类型离子的步骤中，注入的第一掺杂类型离子的能量为100～200Kev，注入剂量为0.5×10¹³～2×10¹³㎝^‑2。

3.根据权利要求1所述的阱区制备方法，其特征在于，所述在经过中和后的第二掺杂类型扩散区注入第一掺杂类型离子，形成第一掺杂类型阱区的步骤中，注入的第一掺杂类型离子的能量大于400Kev。

4.根据权利要求1所述的阱区制备方法，其特征在于，所述第一厚度为10000～20000埃。

5.根据权利要求1所述的阱区制备方法，其特征在于，所述第一厚度为15000埃。

6.根据权利要求1所述的阱区制备方法，其特征在于，所述第一掺杂类型为N型，所述第二掺杂类型为P型。

7.根据权利要求1所述的阱区制备方法，其特征在于，所述第一掺杂类型为P型，所述第二掺杂类型为N型。