[发明专利]一种钙钛矿太阳电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410357437.0 申请日: 2014-07-24
公开(公告)号: CN104124291A 公开(公告)日: 2014-10-29
发明(设计)人: 王鸣魁;曹昆;崔金;左智翔;申燕 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H01L31/0256 分类号: H01L31/0256;H01L31/032;H01L31/0352
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 廖盈春
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种钙钛矿太阳电池及其制备方法,该太阳电池自下而上依次包括,透明电极、介孔p-i-n结构框架和对电极,其中所述的介孔p-i-n结构框架由n型半导体层、绝缘层和p型半导体层依次层叠构成,所述n型半导体层、所述绝缘层和所述p型半导体层均包含介孔,所述n型半导体层、绝缘层、p型半导体层的介孔内均填充有钙钛矿材料。其制备方法依次包括:在透明导电基底上通过旋涂法或丝网印刷法制备介孔p-i-n结构框架;填充钙钛矿材料,并制备对电极层。本发明的钙钛矿太阳电池通过使用介孔p-i-n结构框架能够简化制备工艺、降低制造成本,并有效保证太阳电池的能量转换效率,工业化应用前景良好。
搜索关键词: 一种 钙钛矿 太阳电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种钙钛矿太阳电池,其特征在于,其自下而上依次包括透明电极(1)、介孔p‑i‑n结构框架和对电极(6),其中所述介孔p‑i‑n结构框架由n型半导体层(3)、绝缘层(4)、p型半导体层(5)依次层叠构成,所述n型半导体层(3)、所述绝缘层(4)和所述p型半导体层(5)均包含介孔,所述n型半导体层(3)、所述绝缘层(4)和所述p型半导体层(5)的介孔内均填充有钙钛矿材料。
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