[发明专利]还原氧化石墨烯电路及其制备方法在审
| 申请号： | 201410331452.8 | 申请日： | 2014-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN105313400A | 公开（公告）日： | 2016-02-10 |
| 发明（设计）人： | 容锦泉;林海明;蔡恒生 | 申请（专利权）人： | 纳米及先进材料研发院有限公司 |
| 主分类号： | B32B17/06 | 分类号： | B32B17/06;B32B33/00;C03C17/34;C04B41/52 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 浦彩华;迟姗 |
| 地址： | 中国香港九龙清水湾香港科技大学赛马会*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种还原氧化石墨烯电路及其制备方法。利用工业可得到的准分子激光系统，在玻璃衬底上直接图案化还原氧化石墨烯电路。观察激光能量密度的阈值，其对氧化石墨烯是否还原提供了清晰的分化。测量的最高导电率是7.142×103S/m。在跨越450至800nm的整个范围，还原氧化石墨烯显示出大于80％的透射率。显著的电气、光学和形态性质使还原氧化石墨烯显示出希望的应用，并且当用作触摸屏的透明电极或在其它应用中，该纳米处理方法使还原氧化石墨烯甚至更有吸引力。 | ||
| 搜索关键词： | 还原 氧化 石墨 电路 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种还原氧化石墨烯电路，包括：衬底；形成在该衬底上的至少一个亲水层；形成在该亲水层上的至少一个氧化石墨烯层；和形成在该氧化石墨烯层上的至少一个还原氧化石墨烯图案。
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