[发明专利]一种低温、自组织生长非晶碳杂合单晶纳米石墨的制备方法有效
| 申请号： | 201410331290.8 | 申请日： | 2014-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN104099661A | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | 王欣;刘吉悦;王赞;郑伟涛;高丽 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/02;C23C16/22 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 朱世林;王寿珍 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低温、自组织生长非晶碳杂合单晶纳米石墨的制备方法。概括地讲，本发明是利用烷烃气体(优选甲烷)、氩气(流量比为50:5，单位为标准状态毫升每分)的等离子体化学气相沉积过程，在单晶Si(100)衬底上沉积出非晶碳和纳米石墨的杂合物，是一种在无金属催化剂、低能耗的条件下自组织生长非晶碳杂合单晶纳米石墨的制备方法。该发明所制备的产物是具有许多小尺寸“条形裂口”，呈现出片状形貌，且表面较为粗糙的连续薄膜，存在单层或少层纳米石墨烯与非晶碳的混合结构。本发明的步骤简单，易于操作，便于工业化生产，制备出来的杂合纳米材料在工业、光学、电子、交通、能源、医学和军事等领域具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 组织 生长 非晶碳杂合单晶 纳米 石墨 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低温、自组织生长非晶碳杂合单晶纳米石墨的制备方法，其特征在于，该发明包括如下步骤：1)利用PECVD方法，将衬底材料放入反应腔体中，在预定温度、压强条件下，置于具有一定比例的碳源气体、氩气中进行化学气相沉积；所述衬底包括玻璃、碲镉汞(MCT)、钛合金、铜箔、硅片、不锈钢基体或树脂材料常用材料；所述预定温度在800℃以下；所述压强在500Pa以下；2)反应结束后，通保护气体冷却至室温。
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