[发明专利]集成温度的高性能压力传感器芯片及制造方法

摘要

本发明公开了一种集成温度的高性能压力传感器芯片及制造方法，制造方法，包括对SOI硅片热氧化，形成薄氧化层，然后LPCVD淀积低应力氮化硅；在SOI硅片背面进行光刻，湿法腐蚀出压力敏感膜，并在压力敏感膜区域处形成空腔；去除SOI硅片上的氮化硅和氧化硅；对单晶硅衬底硅片进行热氧化，并在背面上光刻、腐蚀出对准标记，去除氧化层；对SOI硅片和单晶硅衬底进行硅硅键合，使SOI硅片上的空腔形成密闭空腔；对SOI硅片顶层硅进行离子注入，并进行光刻、刻蚀，形成8个掺杂单晶硅体电阻；溅射金属，并光刻、腐蚀，形成金属导线，连接各体电阻，形成测量电路，实现同时测量压力与温度，而且克服压力传感器在高温下PN结反向漏电流造成器件性能恶化的缺点。

主权项

一种集成温度的高性能压力传感器芯片制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤101、对SOI硅片进行热氧化，形成薄氧化层，然后进入LPCVD淀积低应力氮化硅；步骤102、在SOI硅片上进行光刻，定义出压力敏感膜图形，并在SOI硅片底部压力敏感膜区域处形成空腔；步骤103、去除硅片SOI底层的氮化硅和二氧化硅层；步骤104、对单晶硅衬底硅片进行热氧化，并在单晶硅衬底硅片上光刻并腐蚀出对准标记，去除氧化层；步骤105、对SOI硅片和单晶硅衬底进行硅硅键合，使SOI硅片上的空腔形成密闭空腔；步骤106、在SOI硅片顶层硅上注入硼离子、推进，形成单晶硅电阻膜并通过光刻、刻蚀形成8个掺杂单晶硅体电阻；步骤107、在掺杂单晶硅体电阻两端光刻并刻蚀引线孔，然后溅射金属，光刻、刻蚀金属层形成金属导线，并对传感器芯片的上表面进行划片。