[发明专利]压阻式高过载压力传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 201410294071.7 | 申请日： | 2014-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN104215362A | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 付博 | 申请（专利权）人： | 无锡壹资半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210000 江苏省无锡市无锡国家高新技术产业开发区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种压阻式高过载压力传感器及制造方法，涉及压阻式压力传感器领域，它解决了测量时存在的过载能力差、体积大、可靠性差的缺点。该压阻式高过载压力传感器从上至下由玻璃-硅-玻璃三层结构键合而成，中间主芯片层划分为抗过载区和传感区，敏感电阻分别布置在形变最大区内，最大应变区和键合区交叉不重合，上层键合玻璃的键合区与抗过载区重合，在超过形变的时候抗过载区的玻璃框架就变成了限位框架。利用压阻效应原理，在工作时提高芯片的抗过载能力和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 压阻式高 过载 压力传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种压阻式高过载压力传感器：该传感器从上至下由玻璃‑硅‑玻璃三层结构，其中上层玻璃设有绝压腔和过载限位；中间为主芯片层，主芯片设有抗过载区和传感区；下层玻璃设有引压孔；上层玻璃的键合区与主芯片的抗过载区重合，主芯片的最大应变区与键合区交叉不重合，敏感电阻分别布置在最大应变区内。
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