[发明专利]一种低噪声混频器电路

摘要

本发明提供一种低噪声混频器电路，包括噪声消除跨导输入级、开关混频级、和输出负载级部分；其中所述噪声消除跨导输入级接收RF电压信号，将RF电压信号转换为电流信号；开关混频级由本振信号LO控制，对电流信号进行周期性换向，将频率从射频变换到中频，完成频率变换；输出负载级，对高频信号进行滤波抑制，并将相应的中频信号转换为输出IF电压信号。本发明的优点在于在噪声消除跨导输入级，通过使用体交叉耦合方法，提升跨导级的有效输入跨导，从而降低电路的功耗，兼获得整体的低噪声。

主权项

一种低噪声混频器电路，包括噪声消除跨导输入级、开关混频级、和输出负载级部分；其中所述噪声消除跨导输入级接收RF电压信号，将RF电压信号转换为电流信号；开关混频级由本振信号LO控制，对电流信号进行周期性换向，将频率从射频变换到中频，完成频率变换；其特征在于：输出负载级，对高频信号进行滤波抑制，并将相应的中频信号转换为输出IF电压信号；噪声消除跨导输入级为差分对称结构，左右侧结构完全相同，以左侧为例，左侧结构包括第一互补晶体管对Mn1和Mp1、第二互补晶体管对Mn2和Mp2、第三晶体管M3；所述噪声消除跨导输入级中，第一互补晶体管对Mn1和Mp1的栅极作为射频差分信号输入，射频差分信号为一电压信号VRF+，并且第二互补晶体管对Mn2和Mp2的栅极和第一互补晶体管对Mn1和Mp1的栅极连接在一起，第一互补晶体管对Mn1和Mp1的源极连接至交流地，晶体管Mn2的源极接地，晶体管Mp2的源极接电源VDD，第一互补晶体管对Mn1和Mp1的漏极通过耦合电容连接到第三晶体管M3的源极，左右侧结构中的第三晶体管M3共栅极，第三晶体管M3的源极通过电流源连接到地，同时第三晶体管M3的源极通过串联的反馈电阻RF、信号源电阻RS和信号源VS接地，第三晶体管M3的漏极连接到第二互补晶体管对Mn2和Mp2的漏极。