[发明专利]晶体管、制造晶体管的方法和包括晶体管的电子装置

摘要

本发明公开晶体管、制造晶体管的方法和/或包括晶体管的电子装置。在示例实施方式中，晶体管包括彼此串联连接的第一场效应晶体管(FET)和第二FET，其中第一FET的第一栅极绝缘膜和第二FET的第二栅极绝缘膜具有不同的泄漏电流特性或不同的栅极电场特性。

主权项

一种晶体管，包括：第一场效应晶体管(FET)，其包括第一栅电极、第一栅极绝缘膜、沟道层、接触所述沟道层的第一部分的漏电极、以及接触所述沟道层的第二部分的中间电极；第二场效应晶体管，其与所述第一场效应晶体管串联连接，所述第二场效应晶体管包括第二栅电极、第二栅极绝缘膜、所述沟道层、所述中间电极、以及接触所述沟道层的第三部分的源电极；其中所述第一栅极绝缘膜和所述第二栅极绝缘膜中的一个比其中的另一个产生更大的泄漏电流，或者所述第一栅极绝缘膜和所述第二栅极绝缘膜中的一个比其中的另一个提供更低的栅极电场。