[发明专利]一种太赫兹光导天线及其制作方法有效
| 申请号： | 201410280979.2 | 申请日： | 2014-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN104167656B | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 赵振宇;赵全忠;宋志强;石旺舟;凯沙夫·达尼;彼得·黑尔 | 申请（专利权）人： | 上海师范大学 |
| 主分类号： | H01S1/02 | 分类号： | H01S1/02;B23K26/362;B23K26/02;B23K26/082;B23K26/60 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 刘懿 |
| 地址： | 200234 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明一种太赫兹光导天线及其制作，具体指一种基于半绝缘砷化镓(SI‑GaAs)材料，运用超短脉冲激光技术在其表面获得人工周期性微结构条纹、并结合半导体微加工工艺的太赫兹光导天线设计与制作，涉及太赫兹光电子器件技术领域。本发明通过飞秒脉冲激光烧蚀工艺有效地改变半导体表面形貌，改善光学吸收与电学特性，从而提高光电转换效率。结合半导体微加工工艺，精确控制微结构加工区域，降低天线的功耗，提升太赫兹发射的效率，采用Au/Ti电极成分简单，无需退火既可获得良好欧姆接触，加工后材料光电性能明显改善，提高的器件的可靠性等特点，具有设备成本低、制备工艺简单、操作方便，为满足市场需求，提供了坚实的技术物质基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 赫兹 天线 及其 制作 | ||
【主权项】：
一种太赫兹光导天线，其特征在于，所述光导天线的有效光电导层是采用飞秒激光脉冲烧蚀SI‑GaAs表面的人工周期性微结构条纹区域，该区域的光学吸收边红移至1μm；采用标准半导体器件微加工工艺在该有效光电导层上制作领结结构的欧姆接触的光导天线电极。
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