[发明专利]一种多孔花状氧化锡微纳结构的制备方法有效

专利信息
申请号: 201410269916.7 申请日: 2014-06-17
公开(公告)号: CN103991899A 公开(公告)日: 2014-08-20
发明(设计)人: 杨友文;朱文斌;马东明;汪辉;程婷 申请(专利权)人: 合肥工业大学
主分类号: C01G19/02 分类号: C01G19/02;B82Y40/00;B82Y30/00
代理公司: 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 代理人: 何梅生
地址: 230009 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 本发明公开了一种多孔花状氧化锡微纳结构的制备方法,其特征是以SnCl4·5H2O和L-半胱氨酸为原料通过一步水热法制备花状SnS2前驱体,然后在空气中煅烧SnS2前驱体,获得了多孔花状SnO2微球。本发明改善了以往专利或文献中制备SnO2所需时间过长,和使用有机溶剂或表面活性剂而造成成本高等问题,首次结合了水热法和煅烧工艺获得多孔花状SnO2微纳结构;首先通过水热法制备前驱物的方法简单,产物形貌均匀;其次通过在较低温度下,采用合适的升温速率缓慢氧化前驱物,使最终的产物产生均匀分布的孔结构,本发明使用的原料廉价,易于操作,并且设备简单、易于工业化生产。
搜索关键词: 一种 多孔 氧化 锡微纳 结构 制备 方法
【主权项】:
一种多孔花状氧化锡微纳结构的制备方法,其特征在于按如下步骤进行:a、在30ml去离子水中加入0.2mmol SnCl4·5H2O和1.6mmol L‑半胱氨酸,搅拌20~30分钟,混合均匀,然后在160℃条件下水热反应10h,所得反应产物经离心分离,收集沉淀,将所述沉淀在60℃下干燥5~8h,获得花状SnS2前驱体;b、将所述花状SnS2前驱体在马弗炉中煅烧,升温速率设置为1℃/min,待温度升至500℃后保持3h,然后自然冷却至室温,即得目标产物多孔花状氧化锡微球。
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