[发明专利]低功耗低相位噪声电感电容压控振荡器

摘要

本发明公开了一种低功耗低相位噪声电感电容压控振荡器(LC‑VCO)。本发明电感电容压控振荡器采用开关控制的并联NMOS交叉耦合负阻单元，这些开关同时控制电容阵列，使得在不同的电容阵列选通情况下，有适当的交叉耦合负阻被选通接入电路以提供振荡能量，而不必在不同的电容阵列选通情况下一直提供最大振荡能量，因此，可以降低电路功耗。另外，本发明压控振荡器采用不同偏置电压的可变电容并联组合，增加了可变电容的电容—电压线性度，从而降低了可变电容带来的相位噪声。

主权项

一种低功耗低相位噪声电感电容压控振荡器，其特征在于，该电感电容压控振荡器包括由ind、C0、Mn1、Mn2和Mn0构成的一个基本的振荡单元CELL0，所述ind是一个三端电感，所述C0是固定电容，ind和C0构成基本的振荡单元LC Tank；NMOS管Mn1和Mn2形成交叉耦合负阻给LC Tank提供能量，同时将栅接Vdd的NMOS管Mn0作为尾电流源接到Mn1和Mn2的源极与地之间；在单元CELL0之外并联了三个单元，即CELL1、CELL2和CELL3，每个CELL包括固定电容和负阻，并分别由开关SW1、SW2、SW3控制；在CELL0基础上还并联了由Vbias1、Vbias2和Vbias3控制的三组可变电容的组合；在开关选通某个CELL的固定电容同时开关的反信号关断此CELL的尾电流源NMOS管；上述CELL1的结构如下：SW1接到NMOS管Mn3和Mn4的栅极，Mn3和Mn4的源极接地，Mn3漏极和VCOP之间接固定电容C3，Mn4漏极和VCON之间接固定电容C4，SW1经过反相器后接到尾电流源NMOS管Mn7的栅极，NMOS管Mn5和Mn6形成交叉耦合负阻，Mn5的漏极接VCOP，Mn6的漏极接VCON，Mn7接在Mn5和Mn6的源极与地之间；上述CELL2和上述CELL3的结构与上述CELL1结构相同。