[发明专利]一种8位单片机读写16位存储单元RAM的实现方法

摘要

本发明公开了一种8位单片机读写16位存储单元RAM的实现方法包括以下步骤：1)将16位RAM每个存储单元通过vUB分成高8位和低8位两部分；2)用CPLD/FPGA连接单片机和RAM；3)单片机将初始目标地址分三次写入CPLD/FPGA地址缓存器；4)将CPLD/FPGA地址缓存器中地址写入RAM地址寄存器MCUwrAddr、MCUrdAddr；5)单片机将8位数据写入选通的RAM单元，写入完成后写地址寄存器MCUwrAddr加1；6)单片机从选通单元读取8位数据，读取完成后读地址寄存器MCUrdAddr加1，重复5)可连续写入数据，重复6)可连续读取数据。本发明可以实现8位单片机读写16位存储单元RAM。

主权项

一种8位单片机读写16位存储单元RAM的实现方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将16位存储单元RAM中每个存储单元的地址通过vUB分成高8位和低8位，得高低位判断标志；2)通过CPLD/FPGA地址缓存器将单片机与16位存储单元RAM相连接；3)8位单片机将初始目标地址及高地位判断标志分三次写入到CPLD/FPGA地址缓存器中，其中，第一次，8位单片机通过0x8010操作端口将初始目标地址的低8位写入到CPLD/FPGA地址缓存器的ADDR_BUF[7..0]中；第二次，8位单片机通过0x8011操作端口将初始目标地址的高8位写入到CPLD/FPGA地址缓存器的ADDR_BUF[15..8]中；第三次，8位单片机将高低位判断标志通过0x8014操作端口写入CPLD/FPGA地址缓存器的vUB_BUF中；4)将CPLD/FPGA地址缓存器中ADDR_BUF内的初始目标地址通过0x8012操作端口写入到RAM地址寄存器的MCUwrAddr及MCUrdAddr中，同时将CPLD/FPGA地址缓存器中vUB_BUF内的高低位判断标志通过0x8015操作端口写入到vUB中；5)8位单片机通过0x8009操作端口将8位单片机内的8位数据写入到选通的RAM单元中，写入完成后，写地址寄存器MCUwrAddr加1；6)重复步骤5)，连续写入所有数据；7)8位单片机通过0x8008操作端口从选通的RAM单元中读取8位单片机内的8位数据，读取完成后，读地址寄存器MCUrdAddr加1；8)重复步骤7)，连续读取所有数据。