[发明专利]一种高压光学区熔生长易挥发材料高取向晶体的方法有效
| 申请号： | 201410187585.2 | 申请日： | 2014-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN103993356A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 郑红星;余金科;任建;李宏伟 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | C30B29/52 | 分类号： | C30B29/52;C30B13/00 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高压光学区熔生长易挥发材料高取向晶体的方法，其特征如下：将电弧熔炼吸铸的原始棒材进行表面打磨后放入两端开口的高纯氧化铝陶瓷管中，然后陶瓷管固定在下料棒轴轴套上，随后封闭炉腔，机械泵抽真空后，返充入高纯氩气。接着预加热钛棒除去炉腔内残余的氧气，随后加热棒材待获得稳定熔区后按照设定的工艺参数进行晶体生长，将生长好的晶体进行金相、EBSD和成分分析以检测晶体的取向和成分均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压光 学区 生长 挥发 材料 取向 晶体 方法 | ||
【主权项】：
一种高压光学区熔生长易挥发材料高取向晶体的方法，其特征在于具有以下步骤：A. 采用电弧熔炼炉制备直径为5~10mm，长度为6~10mm的原始棒材；B. 对原始棒材进行表面打磨至能轻松放进内径为5~10mm，壁厚为1mm，长度为mm两端开口的高纯透明氧化铝陶瓷管中；C. 将装有原始棒材的陶瓷管固定在光学区熔炉下料棒轴上端的卡座上，此外在上料棒轴底端的挂钩上悬挂一根长度为3~4cm的钛棒； D. 关上炉门，机械泵抽真空，返充高纯氩气至5~8bar，预先加热钛棒40min除去炉腔内残余的氧气，随后缓慢加热棒材至能在视频监控器中看见稳定的熔区，熔区长度为棒材直径的0.8~1倍，接着下料棒轴以10~20rpm的旋转速度以及2~14mm/h的下拉速度向下移动以完成晶体的定向生长。
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