[发明专利]一种氮氧化硅渐变抗反射薄膜及其制备工艺

摘要

本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种氮氧化硅渐变抗反射薄膜及其制备工艺。所述氮氧化硅渐变抗反射薄膜为在膜厚方向上从上到下折射率依次减小并且无明显分界的多层膜结构；所述氮氧化硅渐变抗反射薄膜中与所述半导体器件相接触的为底层抗反射薄膜，所述底层抗反射薄膜折射率最小。本发明的氮氧化硅渐变抗反射薄膜具有渐变的折射系数，当入射光照射到抗反射薄膜上时，通过渐变的抗反射薄膜实现入射光的不停偏转，最后达到相应的器件，从而在实现高光透射的同时具有更高的收拢性，减少光的损失或干扰，增加器件的性能。

主权项

一种氮氧化硅渐变抗反射薄膜，所述氮氧化硅渐变抗反射薄膜沉积在半导体器件上，其特征在于：所述氮氧化硅渐变抗反射薄膜为在膜厚方向上从上到下折射率依次减小并且无明显分界的多层氮氧化硅(SiO_xN_y)结构；所述氮氧化硅渐变抗反射薄膜中与所述半导体器件相接触的为底层抗反射薄膜，所述底层抗反射薄膜的折射率最小。