[发明专利]一种限域生长纳米级配位聚合物的方法无效
| 申请号： | 201410156221.8 | 申请日： | 2014-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN103922290A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 王习东;陈燕;冯英杰;邹如强 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C01B13/14 | 分类号： | C01B13/14 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王文君 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种限域生长纳米级配位聚合物的方法，是以金属氧化物纳米管为模板，限域生长纳米级配位聚合物，即把金属可溶盐与有机配体溶解到有机溶剂中，同时将已生长有金属氧化物纳米管的基底放入该混合溶液中，实现纳米管内限域生长纳米级配位聚合物。本发明以金属氧化物纳米管为模板，依赖纳米管的限域效应和对某些材料的富集作用，实现了纳米管内限域生长NCPs。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 纳米 配位聚合 方法 | ||
【主权项】：
一种限域生长纳米级配位聚合物的方法，是以金属氧化物纳米管为模板，限域生长纳米级配位聚合物，其特征在于，把金属可溶盐与有机配体溶解到有机溶剂中，同时将已生长有金属氧化物纳米管的基底放入该混合溶液中，实现纳米管内限域生长纳米级配位聚合物。
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