[发明专利]一种单层螺线管寄生电容的计算方法及系统

摘要

本发明公开了一种单层螺线管寄生电容的计算方法及系统，涉及电路参数计算技术领域，所述方法包括以下步骤：S1：获取待测螺线管的半径、匝数、高度及线径；S2：根据所述匝数和高度计算所述待测螺线管的匝间距；S3：根据所述待测螺线管的匝间距、半径、匝数及线径计算所述待测螺线管的寄生电容。本发明的方法基于待测螺线管的物理尺寸计算其寄生电容，不同于现有一些只能适用于特定情况的方法，可以适用于具有任意半径、任意高度、任意匝数、任意线径的单层螺线管，且其计算精度较现有方法更高。

主权项

一种单层螺线管寄生电容的计算方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：S1：获取待测螺线管的半径、匝数、高度及线径；S2：根据所述匝数和高度计算所述待测螺线管的匝间距；步骤S2中根据下式计算所述待测螺线管的匝间距Y，$Y=\frac{H}{N},$其中，N为待测螺线管的匝数，H为待测螺线管的高度；S3：根据所述待测螺线管的匝间距、半径、匝数及线径计算所述待测螺线管的寄生电容；步骤S3中根据下式计算所述待测螺线管的寄生电容C_P，$C_P\≈ln(N-1)\·C_{1N}+\frac{C_{12}}{N-1},$其中，ε₀为真空介电常数，R为待测螺线管的半径，N为待测螺线管的匝数，H为待测螺线管的高度，Y为待测螺线管的匝间距，d为待测螺线管的线径。