[发明专利]利用银纳米线改善了雾度及导电度的透明导体在审
| 申请号： | 201410148094.7 | 申请日： | 2014-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN104916344A | 公开（公告）日： | 2015-09-16 |
| 发明（设计）人： | 王太俊;李基薰;朴宰弘;李殷旭;权英帅 | 申请（专利权）人： | 艾登株式会社 |
| 主分类号： | H01B1/00 | 分类号： | H01B1/00;H01B1/02;H01B5/14 |
| 代理公司： | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人： | 郑青松 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及透明导体，其结构包括：导电层，透明基板上，平均直径15～22nm、平均长度10～20μm的多个银纳米线通过粘合剂结合而形成导电性网络；及保护层，所述导电层上形成。据此，具有优秀的透光度、导电度及雾度。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 纳米 改善 导电 透明 导体 | ||
【主权项】：
一种透明导体，包括：基板，透明的；导电层，所述基板上，平均直径15～22nm、平均长度10～20μm的多个银纳米线通过粘合剂结合而形成导电性网络；及保护层，所述导电层上形成。
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