[发明专利]一种有关双向可控硅控制金属陶瓷发热体的电路及方法

摘要

本发明创造涉及电学和可控硅技术领域，具体来说是一种有关双向可控硅控制金属陶瓷发热体的电路及方法，包括U1专用控温集成电路KC-0.5、80C51、LM3911或具有信号采集、计算、输出和稳压及控键输入、显示输出的集成电路，双向可控硅、陶瓷金属发热体、电阻电容元件，其特征在于该电路由专用控温控制集成电路U1、双向可控硅Q1、陶瓷金属发热体R5，采样电阻、负电源供电电路，交流时钟和交流电压采样电路连接组成。本发明同现有技术相比，其优点在于：将交流信号输入到集成电路U1的CLK管脚，集成电路U1内部有交流时钟采样电路计算交流电的准确过零点并测出交流电压值，在需要加热时GATE脚在交流电过零点输出负的电压脉冲，使双向可控硅导通，实现稳定可靠的控温。

主权项

一种有关双向可控硅控制金属陶瓷发热体的电路，包括U1专用控温集成电路KC‑0.5、80C51、LM3911或具有信号采集、计算、输出和稳压及控键输入、显示输出的集成电路，双向可控硅、陶瓷金属发热体、电阻电容元件，其特征在于该电路由专用控温控制集成电路U1、双向可控硅Q1、陶瓷金属发热体R5，采样电阻、负电源供电电路，交流时钟和交流电压采样电路连接组成，集成电路U1的GND端接地并抽头一端连接交流电零线，集成电路U1的PTC热敏电阻信号线与电阻R1一端相连，并抽头一线与双向可控硅Q1的T2端子相连，电阻R1另一端与地线GND端相连，集成电路U1的信号启动端GATE连接电阻R2一端，电阻R2另一端连接双向可控硅Q1的控制极G，双向可控硅Q1的T1端子与陶瓷金属发热体R5一端相连，集成电路U1的时钟信号线CLK端与电阻R3一端相连，并抽头两线分别与电阻R4、电容C1一端相连，电阻R4、电容C1另一端接地，集成电路U1的负电压供电信号线VEE端连接电阻R6一端，并抽头两线分别与电容C2、电容C3一端相连，电容C2和C3另一端接地，电阻R6另一端连接二极管D1的正极，二极管D1的负极连接交流电火线，并抽头两线分别连接陶瓷金属发热体R5和电阻R3的另一端，所述的电阻阻值R1为0.1Ω，R2为100Ω，R3为1M，R4为8.2K，R6为20K‑2W，电容C3为47uF/10V。