[发明专利]铌酸钾基V型PTC材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410110312.8 申请日: 2014-03-24
公开(公告)号: CN103922736A 公开(公告)日: 2014-07-16
发明(设计)人: 朱兴文;王生伟;刘怡茵;张甜甜;朱欣然;沈思月;姜文中;周晓 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: C04B35/495 分类号: C04B35/495;C04B35/622
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人: 顾勇华
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 铌酸钾基V型PTC材料及其制备方法。本发明涉及一种在氮气氛下烧结的具有高电阻非线性系数的NTC-PTC(V型PTC)陶瓷材料及其制备方法。本发明的V型PTC陶瓷的化学分子式为K(1-x)MxNbO3,其中x=0.001~0.30,M=Ca、Ba、Sr中的至少一种;另掺1mol%~9mol%的Al2O3和1mol%~5mol%的GeO2。该材料采用传统的陶瓷制备工艺,在氮气中1000~1200℃烧结10~120min可获得V型PTC材料。该材料在转变温度Tb以上具有极好的PTC效应,升阻比最高达105,电阻非线性系数在20%/℃以上;在Tb以下,材料具有很大的NTC效应,在50℃的范围内,电阻可随温度下降4个数量级。
搜索关键词: 铌酸钾基 ptc 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种铌酸钾基V型PTC材料,其特征在于该材料的化学分子式为K(1‑x)MxNbO3,其中x=0.001~0.30,M=Ca、Ba、Sr中的至少一种,另外加入1mol%~9mol%的Al2O3和1mol%~5mol%的GeO2烧结助剂。
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