[发明专利]一种砷化镓基外延层剥离转移的方法

摘要

本发明是砷化镓基外延层剥离转移的方法，1）稀释的盐酸清洗砷化镓基外延片和临时衬底表面；2）砷化镓基外延片正面旋涂光刻胶；3）砷化镓基外延片正面朝上放热板上烘烤；4）冷却后与临时衬底正面相对键合；5）将砷化镓基外延片砷化镓衬底去除；6）稀释的盐酸清洗目标衬底和以临时衬底为支撑的外延片表面；7）以临时衬底为支撑的外延片正面旋涂BCB；8）以临时衬底为支撑的外延片正面朝上放在热板上烘烤；9）冷却后与目标衬底正面相对键合；10）将键合完的圆片浸泡在丙酮中，待光刻胶被溶解后目标衬底与临时衬底自动分离。优点：可将砷化镓基外延片上外延层完整转移到任意目标衬底上，工艺简单，转移中不会对砷化镓基外延层造成破坏。

主权项

一种砷化镓基外延层剥离转移的方法，其特征是该方法包括以下步骤：1）用稀释的盐酸清洗砷化镓基外延片和临时衬底表面，再用去离子水进行冲洗，然后放入甩干机进行甩干,临时衬底包括玻璃载片、蓝宝石、氮化铝等；2）在砷化镓基外延片的正面旋涂光刻胶作为临时键合材料，转速1000rpm‑5000rpm，时间为30‑60秒；3）将砷化镓基外延片正面朝上放在热板上烘烤2‑5分钟，热板温度90‑120摄氏度；4）待砷化镓基外延片在室温下自然冷却后，将砷化镓基外延片和临时衬底正面相对在温度为180‑200摄氏度的条件下键合；5）将砷化镓基外延片的砷化镓衬底去除，得到了以临时衬底为支撑的外延片；6）用稀释的盐酸清洗目标衬底和以临时衬底为支撑的外延片表面，再用去离子水进行冲洗，然后放入甩干机进行甩干；7）在以临时衬底为支撑的外延片正面旋涂BCB，转速1000rpm‑5000rpm，时间为30‑60秒；8）将以临时衬底为支撑的外延片正面朝上放在热板上烘烤2‑5分钟，热板温度100‑110摄氏度；9）待以临时衬底为支撑的外延片在室温下自然冷却后，将以临时衬底为支撑的外延片和目标衬底正面相对在温度为250‑300摄氏度的条件下键合；10）将键合完的圆片浸泡在丙酮中，待光刻胶被丙酮全部溶解后目标衬底将与临时衬底自动分离。