[发明专利]由含氢硅烷高效可控合成氯硅烷的方法

摘要

本发明涉及一种由含氢硅烷合成氯硅烷的方法，所述方法包括在惰性材料颗粒的存在下，使含氢硅烷与氯化铜进行反应。溶剂用量大大降低（每合成0.1mol氯硅烷，只需0到150ml的溶剂用量），甚至可以不用溶剂，只要液体硅烷可以完全浸润固体原料即可反应。反应时间大大缩短，副反应少。同时，反应的转化率得到了很大提高，并且提纯后产物产率较高。

主权项

一种由含氢硅烷合成氯硅烷的方法，其特征在于，所述方法包括在惰性材料颗粒的存在下，使含氢硅烷与氯化铜进行反应，其中所述惰性材料颗粒选自陶瓷颗粒、玻璃颗粒或其混合物；其中，所述氯硅烷为全取代或者部分取代的氯硅烷，其具有通式R1mR2nR3oSiH4‑m‑n‑o‑tClt所示的结构，所述含氢硅烷具有通式R1mR2nR3oSiH4‑m‑n‑o所示的结构；R1，R2，R3代表Si原子上连接的基团，其彼此相同或不同且独立地选自任选被取代的饱和或不饱和脂族基团或任选被取代的6‑24元芳基或包含1‑4个选自N、O和S的杂原子的5‑24元杂芳基；m、n、o分别代表不大于3的数值，条件是m+n+o的和小于或等于3，并且t代表被取代氢原子的摩尔量；所述惰性材料颗粒与氯化铜的重量比为5:1至0.1:1；反应体系为基本无水的或无水的，所述“基本无水”是指含水量≤0.1重量％，所述“无水”是指含水量≤50ppm；所述方法的反应和/或其后处理在惰性气氛下进行。