[发明专利]以钕铁硼磁片制造复合磁体的方法有效
申请号: | 201410077547.1 | 申请日: | 2014-02-28 |
公开(公告)号: | CN103839669A | 公开(公告)日: | 2014-06-04 |
发明(设计)人: | 张炜;永田浩 | 申请(专利权)人: | 厦门钨业股份有限公司 |
主分类号: | H01F41/02 | 分类号: | H01F41/02;H01F1/057 |
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地址: | 361015 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明提供了一种以钕铁硼磁片制造复合磁体的方法,包括下列步骤:将复数个表面粗糙度Ra小于10.0μm磁片组合;并依靠自重和/或加压的方式使磁片互相接触,其中,磁片之间接触面的压强达到0.002kg/cm2~100.0kg/cm2;以600℃~1100℃的温度对组合的磁片进行1.0h~24.0h的热处理。本发明的方法以磁片作为基本单元,经热压粘结过程将复数个磁片组合成复合磁体。本发明的方法可实现:1)将基于晶界扩散工艺制造的钕铁硼磁片制成任意厚度的复合磁体;2)生产过程具有很高的生产效率;3)减少重稀土元素的使用量,有效降低成本;4)所制造的复合磁体具有高磁性能或特殊磁性能且满足工业使用的力学性能要求。 | ||
搜索关键词: | 钕铁硼 磁片 制造 复合 磁体 方法 | ||
【主权项】:
以钕铁硼磁片制造复合磁体的方法,该方法包括下列步骤:将复数个表面粗糙度Ra小于10.0μm的磁片组合;并依靠自重和/或加压的方式使磁片互相接触,其中,磁片之间接触面的压强达到0.002kg/cm2~100.0kg/cm2;在真空或低于105Pa的惰性气氛中,以600℃~1100℃的温度对组合的磁片进行1.0h~24.0h的热处理。
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