[发明专利]GaN基生物传感器及其制作方法在审
| 申请号： | 201410074971.0 | 申请日： | 2014-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN104897762A | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 李加东;苗斌;吴东岷 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种GaN基生物传感器，包括：衬底；形成于所述衬底上的AlGaN/GaN异质结，所述AlGaN/GaN异质结包括依次形成于所述衬底上的第一GaN层、AlGaN层和第二GaN层；位于所述AlGaN/GaN异质结上的源极和漏极，所述第二GaN层的表面具有一传感区，所述传感区位于所述源极和漏极之间；生物分子膜，直接修饰于所述传感区上。本发明通过对传感区进行表面处理，进而使得生物分子膜可以直接修饰在传感区上，不仅降低了成本，而且提高了传感器的灵敏度。另外，本发明采用硅酮对源极和漏极进行封装，解决了材料在测试过程中易出现液体离子渗入保护层引起器件损坏的问题，以及器件不宜长期应用在有机环境中的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | gan 生物 传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基生物传感器，其特征在于，包括：衬底；形成于所述衬底上的AlGaN/GaN异质结, 所述AlGaN/GaN异质结包括依次形成于所述衬底上的第一GaN层、AlGaN层和第二GaN层；位于所述AlGaN/GaN异质结上的源极和漏极，所述第二 GaN层的表面具有一传感区，所述传感区位于所述源极和漏极之间;生物分子膜,直接修饰于所述传感区上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，未经中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410074971.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
