[发明专利]包含非承载电流的热传导金属箔部分的金属电阻器有效
申请号: | 201410069657.3 | 申请日: | 2008-11-25 |
公开(公告)号: | CN103887025B | 公开(公告)日: | 2017-07-21 |
发明(设计)人: | 本哈德·海尔姆特·恩格尔 | 申请(专利权)人: | 凌力尔特有限公司 |
主分类号: | H01C3/00 | 分类号: | H01C3/00 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 美国加州米*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种包含非承载电流的热传导金属箔部分的金属电阻器。一种用于生成温度补偿基准电压(VREF)的温度基准电路,包括被构造用于生成基本上与温度无关的带隙基准电压(VBGR)和基本上成比例于绝对温度变化的成比例绝对温度基准电压(VPTAT)的带隙基准电路。所述电路包括连接到所述带隙基准电路并且具有作为VREF基础的输出的运算放大器。所述电路还包括连接到所述运算放大器和所述带隙基准电路并且被构造以便使VREF基本上等于VPTAT乘以常数k1减去VBGR乘以常数k2的反馈电路。 | ||
搜索关键词: | 包含 承载 电流 热传导 金属 部分 电阻器 | ||
【主权项】:
一种电路,所述电路包括:金属电阻器,所述金属电阻器具有两个连接节点和在所述两个连接节点之间的金属箔图案,所述金属箔图案包括在所述两个连接节点之间传导电流的承载电流部分以及在所述两个连接节点之间不传导电流的非承载电流部分;和温度补偿电路,所述温度补偿电路位于所述金属电阻器上方或下方,并热耦合到所述金属电阻器。
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