[发明专利]二次掩膜法制备二硼化镁超导约瑟夫森结的方法有效
| 申请号： | 201410056684.7 | 申请日： | 2014-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN103904210A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 孔祥东;李晓娜;韩立;初明璋;许壮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | H01L39/24 | 分类号： | H01L39/24 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 关玲 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种二次掩膜法制备二硼化镁超导约瑟夫森结的方法，该方法采用电子束在真空中对夹层式（三明治型）二硼化镁约瑟夫森结先驱膜进行退火。所述的夹层式二硼化镁约瑟夫森结先驱膜为采用二次掩膜法制备的[Mg/B]-X-[Mg/B]结构先驱膜，X代表标准导体层N或绝缘层I，在秒数量级的退火时间内使先驱膜中的镁、硼单质发生化学反应，最终生成MgB2-X-MgB2结构的SNS型或SIS型二硼化镁超导约瑟夫森结，S代表超导层。 | ||
| 搜索关键词： | 二次 法制 备二硼化镁 超导 约瑟夫 方法 | ||
【主权项】：
一种二次掩膜法制备二硼化镁超导约瑟夫森结的方法，其特征在于：所述的制备方法为：在电子束加工设备的真空样品室内采用电子束对夹层式二硼化镁约瑟夫森结先驱膜退火，所述的夹层式二硼化镁约瑟夫森结先驱膜为采用二次掩膜法制备的[Mg/B]‑X‑[Mg/B]结构先驱膜，X代表标准导体层N或绝缘层I，在秒数量级的退火时间内使先驱膜中的镁、硼单质发生化学反应，最终生成MgB2‑X‑MgB2结构的SNS型或SIS型夹层式二硼化镁超导约瑟夫森结，S代表超导层。
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