[发明专利]石墨烯透明导电膜铜锌锡硒薄膜太阳能电池在审
申请号: | 201410025934.0 | 申请日: | 2014-01-21 |
公开(公告)号: | CN104795455A | 公开(公告)日: | 2015-07-22 |
发明(设计)人: | 马给民;保罗比蒂 | 申请(专利权)人: | 东莞日阵薄膜光伏技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/0224 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 523808 广东省东莞市松山湖科技*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种新型的属于锌黄锡矿类的薄膜太阳能电池,使用蜂窝状二维晶体石墨烯为透明导电膜,铜锌锡硒为吸收层的薄膜太阳能电池,对铜、锌、锡、硒的化学成分匹配更严格。我们使用的铜锌锡硒薄膜太阳能电池,在钠钙玻璃基板上镀约0.35至1.0微米厚的钼薄膜,在钼薄膜层上镀约0.7至1.5微米厚的铜锌锡硒薄膜,经退火后结成晶体。在晶体上沉积硫化镉,建立“p-n结”薄膜区域;使用低温溅射,没有硒流失的弱点;对大面积、化学成分的均匀性及重复性生产有极大优势,能促进批量生产。我们使用最为细薄、仅一个原子厚度的、非常导电及透明的石墨烯作为前电极,代替昂贵的氧化铟锡前电极,压缩了批量生产的成本。 | ||
搜索关键词: | 石墨 透明 导电 膜铜锌锡硒 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种低温溅射工艺制造的薄膜太阳能电池(见说明书附图1),其特征在于:在钠钙玻璃基板 (1) 上镀有约0.35至1.0微米厚钼薄膜, 在所述钼薄膜镀有约0.7至1.5微米厚,或1.0微米标准厚度的“铜锌锡硒”薄膜,在“铜锌锡硒”薄膜及退火后的晶体 (3) 与其上表面有“p‑n结”薄膜区域(11)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的