[发明专利]石墨烯透明导电膜铜锌锡硒薄膜太阳能电池在审

专利信息
申请号: 201410025934.0 申请日: 2014-01-21
公开(公告)号: CN104795455A 公开(公告)日: 2015-07-22
发明(设计)人: 马给民;保罗比蒂 申请(专利权)人: 东莞日阵薄膜光伏技术有限公司
主分类号: H01L31/032 分类号: H01L31/032;H01L31/0224
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 523808 广东省东莞市松山湖科技*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种新型的属于锌黄锡矿类的薄膜太阳能电池,使用蜂窝状二维晶体石墨烯为透明导电膜,铜锌锡硒为吸收层的薄膜太阳能电池,对铜、锌、锡、硒的化学成分匹配更严格。我们使用的铜锌锡硒薄膜太阳能电池,在钠钙玻璃基板上镀约0.35至1.0微米厚的钼薄膜,在钼薄膜层上镀约0.7至1.5微米厚的铜锌锡硒薄膜,经退火后结成晶体。在晶体上沉积硫化镉,建立“p-n结”薄膜区域;使用低温溅射,没有硒流失的弱点;对大面积、化学成分的均匀性及重复性生产有极大优势,能促进批量生产。我们使用最为细薄、仅一个原子厚度的、非常导电及透明的石墨烯作为前电极,代替昂贵的氧化铟锡前电极,压缩了批量生产的成本。
搜索关键词: 石墨 透明 导电 膜铜锌锡硒 薄膜 太阳能电池
【主权项】:
一种低温溅射工艺制造的薄膜太阳能电池(见说明书附图1),其特征在于:在钠钙玻璃基板 (1) 上镀有约0.35至1.0微米厚钼薄膜, 在所述钼薄膜镀有约0.7至1.5微米厚,或1.0微米标准厚度的“铜锌锡硒”薄膜,在“铜锌锡硒”薄膜及退火后的晶体 (3) 与其上表面有“p‑n结”薄膜区域(11)。
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