[发明专利]普通LOGIC工艺中大单位容值电容的制作方法在审
| 申请号： | 201410025926.6 | 申请日： | 2014-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN103762157A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 贾金辉;徐跃江;岳云;奚谷枫 | 申请（专利权）人： | 无锡紫芯集成电路系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 无锡华源专利事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 林弘毅;聂汉钦 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种普通LOGIC工艺中大单位容值电容的制作方法，在MOM电容的基础上增加MOS管的电容。MOM电容用工艺最小尺寸设计金属插指，由多层金属按插指结构布局，不同金属层形成的MOM电容的布局完全相同。MOM电容与MOS管的电容两者为垂直结构，MOS管的电容位于MOM电容下方。MOS管的源极和漏极相连构成电容一端，栅极构成电容另一端；MOM电容的两端分别与MOS管的电容的两端相连，组成并联架构。本发明可以在特定工艺中，在不增加MASK情况下，制作出单位容值最大的电容。使用本发明，可以在保证芯片功能的情况下，明显降低芯片的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 普通 logic 工艺 单位 电容 制作方法 | ||
【主权项】：
一种普通LOGIC工艺中大单位容值电容的制作方法，其特征在于：在MOM电容的基础上增加MOS管的电容。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡紫芯集成电路系统有限公司，未经无锡紫芯集成电路系统有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410025926.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种配钻用快速定位孔中心的装置
- 下一篇：一种滚筒式反应釜
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
