[发明专利]一种氧化亚铜纳米线多孔薄膜及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201410014003.0 | 申请日： | 2014-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN103754925A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 徐伟;肖星星;夏鹏 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C01G3/02 | 分类号： | C01G3/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于纳米材料和光电功能材料技术领域，具体为一种氧化亚铜纳米线多孔薄膜及其制备方法和应用。本发明以硫氰酸亚铜薄膜为前体，通过与碱溶液反应获得氧化亚铜纳米线多孔薄膜。本发明提出的氧化亚铜纳米线多孔薄膜可作为光电转换材料，在功能材料和器件领域还有广泛的用途。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化亚铜 纳米 多孔 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种氧化亚铜纳米线多孔薄膜的制备方法，其特征在于，以硫氰酸亚铜薄膜为前体，在碱溶液中浸泡处理，通过化学反应原位制备，碱溶液采用氢氧化钠水溶液；具体步骤为：在基底表面上先沉积铜膜，铜膜厚度为50‑180纳米；然后将铜膜浸入到浓度为0.5~2 毫摩尔/升的硫氰酸铵溶液中，浸泡1.5~5小时，通过化学反应形成硫氰酸亚铜薄膜；然后用去离子水充分洗涤，再将硫氰酸亚铜薄膜浸入到浓度为5~20毫摩尔/升的氢氧化钠溶液中，反应0.5‑3小时；从溶液中取出薄膜，用去离子水充分洗涤，再干燥，即在基底表面上原位形成氧化亚铜纳米线多孔薄膜。
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