[发明专利]一种氧化亚铜纳米线多孔薄膜及其制备方法和应用

权利要求书

1. 一种氧化亚铜纳米线多孔薄膜的制备方法，其特征在于，以硫氰酸亚铜薄膜为前体，在碱溶液中浸泡处理，通过化学反应原位制备，碱溶液采用氢氧化钠水溶液；具体步骤为：

在基底表面上先沉积铜膜，铜膜厚度为50-180纳米；然后将铜膜浸入到浓度为0.5~2 毫摩尔/升的硫氰酸铵溶液中，浸泡1.5~5小时，通过化学反应形成硫氰酸亚铜薄膜；然后用去离子水充分洗涤，再将硫氰酸亚铜薄膜浸入到浓度为5~20毫摩尔/升的氢氧化钠溶液中，反应0.5-3小时；从溶液中取出薄膜，用去离子水充分洗涤，再干燥，即在基底表面上原位形成氧化亚铜纳米线多孔薄膜。

2. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，用于支撑薄膜的基底采用刚性的基底或柔性的基底，所述刚性基底为玻璃基底或者氧化铟锡导电玻璃，柔性基底为塑料基底。

3. 由权利要求1所述制备方法得到的氧化亚铜纳米线多孔薄膜，纳米线之间存在多种空间或者洞穴；多数纳米线宽度小于50纳米。

4. 一种如权利要求3所述的氧化亚铜纳米线多孔薄膜作为光电转换材料在光电催化和太阳能电池中应用。