[发明专利]缺陷检查装置及缺陷检查方法有效

专利信息
申请号: 201410012268.7 申请日: 2014-01-10
公开(公告)号: CN104007116B 公开(公告)日: 2017-08-08
发明(设计)人: 江川弘一;中田雅博 申请(专利权)人: 欧姆龙株式会社
主分类号: G01N21/88 分类号: G01N21/88;G01N21/01
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司72003 代理人: 金相允,浦柏明
地址: 日本京都*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供以低成本且高速进行能够判别表面缺陷和内层缺陷的缺陷检查装置及方法。缺陷陥检查装置具有第一照射单元,其向被检查物从一侧照射第一光;第二照射单元,其向被检查物从另一侧照射第二光;拍摄单元,其配置在上述一侧,获取与第一光的反射光及第二光的透过光的强度相对应的拍摄数据;检测单元,其基于由拍摄单元获取的反射光及透过光的强度来检测被检查物的内层缺陷。检测单元将透过光强度大于反射光强度的缺陷判断为内层缺陷。透过光的检测方法能够采用倾斜入射第二光来检测间接透过光的方法和用正交偏振(cross‑nicol)方式检测正透过光的方法。拍摄单元可利用两个照相机,也可通过采用不同颜色的两个光来利用一个彩色照相机。
搜索关键词: 缺陷 检查 装置 方法
【主权项】:
一种缺陷检查装置,用于检查板状的被检查物的缺陷,其特征在于,该缺陷检查装置具有:第一照射单元,其向所述被检查物照射第一光,第二照射单元,其向所述被检查物照射第二光,拍摄单元,其获取与所述第一光的反射光及所述第二光的透过光的强度相对应的拍摄数据,检测单元,其基于由所述拍摄单元获取的所述被检查物的相同位置上的所述反射光及所述透过光的强度,来检测所述被检查物的缺陷,并且,将所述被检查物的相同位置上的所述反射光的亮度比大于所述透过光的亮度比的缺陷判别为表面缺陷,将所述被检查物的相同位置上的所述透过光的亮度比大于所述反射光的亮度比的缺陷判别为内层缺陷,其中,所述亮度比是指,将所述被检查物的光强度除以没有缺陷的被检查物的光强度而得到的值;以使所述拍摄单元对所述第二光的间接透过光进行拍摄的方式,配置所述拍摄单元和所述第二照射单元。
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