[发明专利]一种测量磁性软磁薄膜复数磁导率的方法

摘要

一种软磁薄膜复数磁导率的计算分析方法，其过程为：1）测量空腔短路微带线夹具的S₁₁参数、外加了强磁场时的空腔短路微带线夹具的S₁₁参数、放入软磁薄膜样品时的短路微带线夹具的S₁₁参数、外加了强磁场并且放入软磁薄膜样品时的短路微带线夹具的S₁₁参数；2）通过S₁₁参数求得端口阻抗；3）将得到的端口阻抗的数据带入本发明提出的计算公式中便可以得到软磁薄膜的复数磁导率。在利用本发明提出的方法计算复数磁导率时，只需要知道软磁薄膜的厚度和长度，而不需要其他标准样品来定标。

主权项

1.一种测量磁性软磁薄膜复数磁导率的方法，其特征在于：1）通过测量空腔短路微带线夹具的S₁₁参数，计算出端口阻抗Z_emp；2）测量外加了强磁场时的空腔短路微带线夹具的S₁₁参数，计算出端口阻抗Z_empmag；3）测量放入软磁薄膜样品时的短路微带线夹具的S₁₁参数，计算出端口阻抗Z_film；4）测量外加了强磁场并且放入软磁薄膜样品时的短路微带线夹具的S₁₁参数，计算出端口阻抗Z_filmmag；将参数：Z_emp、Z_empmag、Z_film、Z_filmmag分别导入公式1中，式1即可计算出磁性软磁薄膜复数磁导率μ_r，其中端口阻抗Z通过所测量的S₁₁参数代入公式2得到，式2式1中A_jig是短路微带线的纵向截面积，由短路微带线的信号线与地间距离乘以微带线长度得到，A_film是软磁薄膜的纵向截面积，由薄膜的纵向长度乘以薄膜厚度得到；式2中Z₀为传输线的特征阻抗。